[发明专利]晶圆断键强度检测装置以及检测方法

权利要求书

1.一种晶圆断键强度检测装置，其特征在于，包括：

工艺单元，用于对待测晶圆表面进行第一表面处理，使所述待测晶圆表面产生第一正离子和第一负离子；

信号转换单元，用于根据所述第一正离子和第一负离子获取第一电信号。

2.如权利要求1所述的晶圆断键强度检测装置，其特征在于，所述第一电信号包括：第一电流信号或者第一电压信号。

3.如权利要求1所述的晶圆断键强度检测装置，其特征在于，还包括：信号放大单元，用于将所述第一电信号进行放大，获得第三电信号。

4.权利要求1所述的晶圆断键强度检测装置，其特征在于，所述第一表面处理的工艺包括：等离子体处理。

5.如权利要求1所述的晶圆断键强度检测装置，其特征在于，所述工艺单元包括：腔室；位于腔室内的载物台，所述载物台用于放置待测晶圆；位于腔室内相对设置的阳极和阴极，所述阳极和阴极用于产生垂直于载物台方向的电场；与腔室电连接的射频电源，所述射频电源用于在所述阳极和阴极之间施加偏置电压。

6.如权利要求1或者5所述的晶圆断键强度检测装置，其特征在于，还包括：控制单元，所述控制单元用于实时接收所述第一电信号；当第一电信号小于预设值时，所述控制单元控制工艺单元对所述待测晶圆表面进行第二表面处理，使所述待测晶圆表面产生第二正离子和第二负离子；所述信号转换单元根据所述第二正离子和第二负离子获取第二电信号，且所述第二电信号达到预设值。

7.一种晶圆断键强度检测方法，其特征在于，包括：

提供待测晶圆；

对所述待测晶圆表面进行第一表面处理，使所述待测晶圆表面产生第一正离子和第一负离子；

根据所述第一正离子和第一负离子获取第一电信号。

8.如权利要求7所述的晶圆断键强度检测方法，其特征在于，还包括：将所述第一电流信号进行放大，获得第三电信号。

9.如权利要求7所述的晶圆断键强度检测方法，其特征在于，所述第一电信号包括：第一电流信号或者第一电压信号。

10.如权利要求7所述的晶圆断键强度检测方法，其特征在于，所述第一表面处理的工艺包括：等离子体处理。

11.如权利要求7所述的晶圆断键强度检测方法，其特征在于，所述待测晶圆包括衬底和位于衬底表面的介质层；所述介质层的材料包括：氧化硅；所述第一表面处理使氧化硅中的Si-O键断裂。

12.如权利要求7或11所述的晶圆断键强度检测方法，其特征在于，还包括：实时接收所述第一电信号；当第一电信号小于预设值时，对所述待测晶圆表面进行第二表面处理，使所述待测晶圆表面产生第二正离子和第二负离子；根据所述第二正离子和第二负离子获取第二电信号，且所述第二电信号达到预设值。