[发明专利]存储器件、半导体结构及其制造方法

说明书

本公开是关于一种存储器件、半导体结构及半导体结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括半导体衬底、栅极、栅绝缘层、漏极、源极、介质层、位线和电容连接线。半导体衬底具有工作面和由工作面向内延伸的阱区，阱区具有源极部、漏极部以及分隔源极部和漏极部的沟槽。栅极设于沟槽内。栅绝缘层分隔于栅极和沟槽的内壁之间。漏极设于漏极部内，且由工作面向内延伸，漏极和阱区构成PN结。源极设于源极部内，且由工作面向内延伸，源极与阱区构成肖特基结。介质层覆盖工作面，且具有露出漏极部的第一接触孔和露出源极部的第二接触孔。位线填充于第一接触孔内。电容连接线填充于第二接触孔内。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种存储器件、半导体结构及半导体结构的制造方法。

背景技术

目前，对于动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等半导体器件而言，晶体管是重要的组成部分。由于半导体器件的体积逐渐缩小，使得衬底上的可用于进行离子注入的区域较小，造成源极和漏极的接触面积的减小，导致接触电阻增大，尤其是电容与源极之间的接触电阻增大较为明显，使半导体器件的开态电流会显著降低，影响运行速度，而现有提高开态电流的技术手段，难以同时维持漏电流不增加。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种存储器件、半导体结构及半导体结构的制造方法，在降低接触电阻，提高开态电流的同时，维持漏电流不增加。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：

半导体衬底，具有工作面和由所述工作面向内延伸的阱区，所述阱区具有源极部、漏极部以及分隔所述源极部和所述漏极部的沟槽；

栅极，设于所述沟槽内；

栅绝缘层，分隔于所述栅极和所述沟槽的内壁之间；

漏极，设于所述漏极部内，且由所述工作面向内延伸，所述漏极和所述阱区构成PN结；

源极，设于所述源极部内，且由所述工作面向内延伸，所述源极与所述阱区构成肖特基结；

介质层，覆盖所述工作面，且具有露出所述漏极部的第一接触孔和露出所述源极部的第二接触孔；

位线，填充于所述第一接触孔内；

电容连接线，填充于所述第二接触孔内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述源极的材料包括金属硅化物。

在本公开的一种示例性实施例中，所述源极的材料包括硅化镍、硅化铂和硅化钴中至少一种。

根据本公开的一个方面，提供一种存储器件，包括上述任意一项所述的半导体结构。

根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有工作面；

在所述半导体衬底上形成由所述工作面向内延伸的阱区；

在所述阱区形成沟槽，以分隔出源极部和漏极部；

形成覆盖所述沟槽内壁的栅绝缘层，并在所述栅绝缘层的内侧形成栅极；

由所述工作面向内对所述漏极部进行掺杂，以形成与所述阱区构成PN结的漏极；

在所述漏极远离所述阱区的表面形成位线；

形成覆盖所述工作面的介质层，所述介质层具有露出所述漏极的第一接触孔和露出所述源极部的第二接触孔；