[发明专利]一种氮化镓电子器件的复合介质结构及制备方法在审
| 申请号： | 201910755947.6 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110491939A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王成森;殷海波;黄森;王鑫华;魏珂;黄健;张超;吴耀辉 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 方丁一<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓 介质插入 界面态 机台 电子器件 电场介质 功率调节 温度调节 预设功率 击穿 预设 电子器件表面 复合介质结构 生长 等离子体清洁 表面生长 界面缺陷 有效解决 制备 | ||
1.一种氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，包括：
低界面态介质插入层(1)和高击穿电场介质层(2)；
低界面态介质插入层(1)，生长在氮化镓电子器件(3)表面上；
高击穿电场介质层(2)，生长在所述低界面态介质插入层(1)上。
2.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述低界面态介质插入层(1)的材料包括氮化铝、氮氧化铝、氮化硅化合物、氧化镓化合物或组合中的任意一种，厚度为0.2nm～5nm。
3.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述高击穿电场介质层(2)的材料包括氮化硅化合物、二氧化硅、氮氧化硅化合物、三氧化二铝、氧化镍或组合中的任意一种，厚度为5nm～30nm。
4.一种氮化镓电子器件氮化镓电子器件的复合介质结构制备方法，其特征在于，包括：
将氮化镓电子器件(3)放置于机台中；
将所述机台的温度调节至第一预设温度，功率调节至第一预设功率，使用等离子体清洁所述氮化镓电子器件(3)的表面；
将所述机台的温度调节至第二预设温度，功率调节至第二预设功率，在所述氮化镓电子器件(3)的表面生长低界面态介质插入层(1)；
将所述机台的温度调节至第三预设温度，功率调节至第三预设功率，在所述低界面态介质插入层(1)上生长高击穿电场介质层(2)。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述使用等离子体清洁所述氮化镓电子器件(3)的表面的时长为5秒至20分钟。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，调节所述机台的温度时，所述机台的升温速率为5～30摄氏度/每分钟。
7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，将所述机台的温度分别调至第一预设温度、第二预设温度和第三预设温度后，温度稳定的时间均为10～120分钟。
8.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度为25～250摄氏度，所述第二预设温度为250～350摄氏度，所述第三预设温度为350～600摄氏度。
9.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，第一预设功率为50～500瓦，第二预设功率为500～2000瓦，第三预设功率为2000～3000瓦。
10.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体的气体前驱体为氨气、氮气、氩气中的一种或多种。
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