[发明专利]错误处置方法以及数据存储装置及其控制器

说明书

本发明公开了一种错误处置方法以及数据存储装置及其控制器。所述错误处置方法可包括：将一错误处置程序上传至具备ECC保护的能力的缓冲存储器；因应至少一错误，中断目前程序的执行并启动中断服务；执行所述缓冲存储器上的所述错误处置程序；停用一传输接口电路；重设至少一硬件引擎以及非挥发性存储器组件；针对所述数据存储装置中的一数据高速缓存进行高速缓存重新整理，且将重新整理后的高速缓存数据编程至非挥发性存储器组件，以进行数据复原；以及通过启动一看门狗模块与所述传输接口电路并与一主机重新连线，来完成软重设，以使所述数据存储装置再度正常地运作。本发明能使数据存储装置能于软错误发生时进行自我修复，进而降低软错误率。

技术领域

本发明是有关于闪存(Flash memory)的存取(access)，尤指一种错误处置(errorhandling)方法以及相关的数据存储装置及其控制器。

背景技术

闪存可广泛地应用于各种可携式或非可携式数据存储装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)中。以常用的NAND型闪存而言，最初有单阶细胞(single levelcell，SLC)、多阶细胞(multiple level cell，MLC)等类型的闪存。由于存储器的技术不断地发展，较新的数据存储装置产品可采用三阶细胞(triple level cell，TLC)闪存，甚至四阶细胞(quadruple level cell，QLC)闪存。为了确保数据存储装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理其内部运作。

依据现有技术，有了这些管理机制的数据存储装置还是有不足之处。举例来说，随着半导体制程中的组件密度越来越高，软错误(soft error)的发生率也变得更高。当软错误发生时，常常伴随着位翻转(Bit flip)的错误。现有技术中提出了某些建议，以尝试避免此状况变得更糟。不论这些建议中的哪一个建议被采用，当错误位的数量超过某错误更正机制可更正的范围时，传统架构典型地控制数据存储装置进入系统停止(system halt)状态，以防止各种不可预期的错误进一步发生。然而，传统架构的这样的控制一定造成整个数据存储装置无法继续操作，且大幅地增加用户数据遗失(data loss)的风险。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下实现具有可靠的管理机制的数据存储装置。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种错误处置(error handling)方法以及相关的数据存储装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种错误处置方法以及相关的数据存储装置及其控制器，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下将可靠的管理机制赋予数据存储装置。