[发明专利]一种基于凹凸曲率补偿的低温漂带隙基准电路

权利要求书

1.一种基于凹凸曲率补偿的低温漂带隙基准电路，包括初级基准启动模块、初级基准模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，

所述初级基准启动模块用于在上电时启动所述初级基准模块，并在所述初级基准模块正常工作后退出；

所述带隙基准核心启动模块用于在上电时启动所述带隙基准核心模块，并在所述带隙基准核心模块正常工作后退出；

其特征在于，所述初级基准模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二电容和第一三极管，

第五PMOS管的栅漏短接并连接第三PMOS管、第七PMOS管、第九PMOS管和第十一PMOS管的栅极以及第六PMOS管的源极，其源极连接第三PMOS管、第七PMOS管、第九PMOS管、第十一PMOS管和第十二PMOS管的源极并连接电源电压；

第四PMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极、第六PMOS管的栅极和漏极以及第八PMOS管和第十PMOS管的栅极，其源极连接第三PMOS管的漏极，其漏极连接第一NMOS管的栅极和漏极以及第二NMOS管的栅极；

第一NMOS管的源极连接第三NMOS管和第四NMOS管的源极以及第一三极管的发射极并接地；

第二NMOS管的源极通过第二电阻后接地；

第八PMOS管的源极连接第七PMOS管的漏极，其漏极连接第三NMOS管的栅极和漏极以及第四NMOS管的栅极；

第十PMOS管的源极连接第九PMOS管的漏极，其漏极连接第五NMOS管的栅极并通过第三电阻后连接第一三极管的基极和集电极；

第五NMOS管的漏极连接第十一PMOS管的漏极和第十二PMOS管的栅极，其源极连接第四NMOS管的漏极和第六NMOS管的源极；

第六NMOS管的漏极连接第十二PMOS管的漏极和第四电阻的一端并产生初级基准电压，其栅极一方面通过第五电阻后连接第十二PMOS管的漏极，另一方面通过第六电阻后接地；

第二电容的一端连接第十二PMOS管的栅极，另一端连接第四电阻的另一端；

所述带隙基准核心模块包括运算放大器、第三电容、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第二三极管、第三三极管和第一MOS 管，其中第八电阻和第十二电阻的阻值相等；

第一MOS管接在所述初级基准电压与第二三极管的基极之间，其栅极连接运算放大器的输出端；

所述第一MOS管为NMOS管时，第一MOS管的漏极连接所述初级基准电压，其源极连接第二三极管的基极；

所述第一MOS管为PMOS管时，第一MOS管的源极连接所述初级基准电压，其漏极连接第二三极管的基极；

第三电容一端连接运算放大器的输出端，另一端通过第七电阻后连接第一MOS管的漏极；

第二三极管的基极连接第三三极管的基极，其集电极连接运算放大器的正向输入端并通过第八电阻后连接所述初级基准电压，其发射极连接第十三电阻的一端并通过第十一电阻后接地；

第三三极管的集电极连接运算放大器的负向输入端并通过第十二电阻后连接所述初级基准电压，其发射极连接第十三电阻的另一端；

第九电阻和第十电阻串联并接在所述初级基准电压和第二三极管的基极之间，其串联点作为所述带隙基准电路的输出端。