[发明专利]表面浮雕光栅结构的制作方法

权利要求书

1.一种表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

基片涂胶：提供制作所述光栅结构的基片，在所述基片表面涂覆压印胶层得到衬底；

母板压印：提供光栅母板，所述光栅母板具有若干矩形条状光栅结构，通过纳米压印方式将所述光栅母板压入所述衬底的压印胶层内，使所述光栅母板脱离所述压印胶层，形成第一光栅结构，刻蚀部分压印胶层，得到具有矩形夹缝的第二光栅结构；

压印胶镀膜：在所述第二光栅结构表面镀上金属膜，使所述金属膜包括镀附于剩余压印胶层表面的第一金属膜层以及镀附于矩形夹缝中且位于所述基片上的第二金属膜层，得到第三光栅结构；

压印胶去除：去除所述第一金属膜层以及所述剩余压印胶层，得到具有第二金属膜层的第四光栅结构；

刻蚀基片：采用离子束刻蚀所述第四光栅结构上的第二金属膜层以及所述基片，得到基片表面形成梯形夹缝的目标光栅结构，其中，所述离子束的发射线与所述基片表面的夹角非直角。

2.根据权利要求1所述的表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，所述基片涂胶步骤中还包括以下过程：

将涂胶完成的基片置于加热板加热，以去除多余溶剂，并用膜厚仪测量厚度，若厚度未达到指定要求，则继续重复母板涂胶过程，直至测量厚度达到目标厚度。

3.根据权利要求1所述的表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，在母板压印步骤中，所述矩形光栅母板压入所述压印胶层之前还需要进行抗粘处理过程。

4.根据权利要求1所述的表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，在母板压印步骤中还包括以下过程：

残余胶去除：通过电感耦合设备去除所述第一光栅结构中的残余胶，使所述第一光栅结构的矩形夹缝底部直接显露基片，得到所述第二光栅结构。

5.根据权利要求1所述的表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，在所述刻蚀基片步骤中，所述第二金属膜层的刻蚀速率与所述基片的刻蚀速率不同。

6.根据权利要求1所述的表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，所述压印胶去除步骤具体包括以下过程：

以剩余压印胶层作为牺牲层，采用丙酮或水超声去除所述剩余压印胶层以及所述镀附于剩余压印胶层表面的第一金属膜层。

7.根据权利要求1所述的表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，所述刻蚀基片步骤后，还需要进行以下过程：

基片清洗：用酸性溶液清洗还未刻蚀掉的所述第二金属膜层，以形成带不对称的梯形夹缝的光栅结构。

8.根据权利要求1所述的表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，所述梯形夹缝的底部宽度为80-120nm。

9.根据权利要求1所述的表面浮雕光栅结构的制作方法，其特征在于，所述矩形光栅母板材质为硅片或塑胶片，所述基片的材质为玻璃片。