[发明专利]感测晶体管的偏移添加电路

说明书

在实例中，一种用于感测电流的设备(500)包括功率晶体管(502)；感测晶体管(504)，其耦合到所述功率晶体管；及偏移添加电路(540)，其耦合到所述功率晶体管及所述感测晶体管，所述偏移添加电路包括第一对晶体管(506、508)及差分放大器(510)。所述设备还包括：耦合到所述偏移添加电路的共源共栅放大器电路(560)，所述共源共栅放大器电路包括第二对晶体管(512、514)；及增益修正电路(542)，其耦合到所述共源共栅放大器电路，所述增益修正电路包含另一差分放大器(516)及第三晶体管(528)。所述设备进一步包含耦合到所述增益修正电路的模/数转换器ADC(556)及耦合到所述ADC的存储装置(554)。

发明内容

在实例中，一种用于感测电流的设备包括功率晶体管；感测晶体管，其耦合到所述功率晶体管；及偏移添加电路，其耦合到所述功率晶体管及所述感测晶体管，所述偏移添加电路包括第一对晶体管及差分放大器。所述设备还包括：共源共栅放大器电路，其耦合到所述偏移添加电路，所述共源共栅放大器电路包括第二对晶体管；及增益修正电路，其耦合到所述共源共栅放大器电路，所述增益修正电路包含另一差分放大器及第三晶体管。所述设备进一步包含耦合到所述增益修正电路的模/数转换器(ADC)及耦合到所述ADC的存储装置。

在实例中，一种用于感测电流的设备包括：功率晶体管；感测晶体管，其耦合到所述功率晶体管；及偏移添加电路，其耦合到所述功率及感测晶体管。所述偏移添加电路包括：第一晶体管，其经配置以经由开关耦合到所述功率晶体管；第二晶体管，其耦合到所述感测晶体管；电阻器，其耦合到所述第一晶体管；及差分放大器，其具有耦合到所述电阻器及所述第二晶体管的输入且具有耦合到共源共栅放大器电路的输出，所述共源共栅放大器电路在反馈环路配置中耦合到所述感测晶体管。

在实例中，一种用于感测电流的设备，其包括：功率晶体管；感测晶体管，其耦合到所述功率晶体管；偏移添加电路，其耦合到所述功率晶体管及所述感测晶体管中的每一者。所述偏移添加电路包括：第一晶体管，其包括第一漏极端子、第一源极端子及第一栅极端子；第二晶体管，其包括第二漏极端子、第二源极端子及第二栅极端子，其中所述第一漏极端子及所述第二漏极端子各自耦合到电压源；第一放大器，其包括第一反相端子、第一非反相端子及第一输出端子；及电阻器，其耦合到所述第一源极端子及所述第一放大器的所述第一非反相端子及偏压电流源中的每一者。所述设备还包括：第一开关，其耦合到所述功率晶体管、反相器及所述第一晶体管的所述第一栅极端子。所述设备还包括：第二开关，其耦合到所述电压源、所述反相器及所述第一晶体管的所述第一栅极端子。所述设备进一步包含：共源共栅放大器电路，其包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三漏极端子、第三源极端子及第三栅极端子，所述共源共栅放大器电路进一步包括第四晶体管，所述第四晶体管包含第四漏极端子、第四源极端子及第四栅极端子，所述第三栅极端子耦合到所述第一放大器的所述第一输出端子，所述第三漏极端子耦合到所述感测晶体管，所述第三源极端子耦合到所述第四源极端子。所述设备进一步包含：增益修正电路，其耦合到所述第四漏极端子且包括：第二放大器，其包括第二反相端子、第二非反相端子及第二输出端子；第二电阻器，其耦合到所述第二非反相端子；可变电阻器，其在反馈环路中耦合到所述第二反相端子；及第三晶体管，其耦合到所述第二输出端子及修正电阻器中的每一者。所述设备进一步包含：第三放大器，其具有第三反相端子、第三非反相端子及第三输出端子，所述第三反相端子经由第三电阻器耦合到所述第三晶体管及所述第三输出端子。所述设备还包括：模/数转换器(ADC)，其耦合到所述第三输出端子；存储装置，其耦合到所述ADC；及减法逻辑，其耦合到所述存储装置及所述ADC。

附图说明

对于各种实例的详细描述，现将参考附图，其中：

图1说明根据现有技术的输入电流及经感测输出电压的传递函数；

图2是根据各种实例的电流感测技术的电流感测电路的概念图；

图3说明根据各种实例的用于实施电流感测技术的时序图；

图4说明根据各种实例的根据电流感测技术的输入电流及经感测输出电压的传递函数；及