[发明专利]芯片晶圆及其制备方法、Micro-LED显示器有效
申请号: | 201910757851.3 | 申请日: | 2019-08-16 |
公开(公告)号: | CN110459557B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 杨涛;强力;宋吉鹏;周天民;黄睿;尹东升;李颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 及其 制备 方法 micro led 显示器 | ||
1.一种芯片晶圆,其特征在于,包括:衬底以及设置在所述衬底上的多个LED芯片;
所述LED芯片包括依次层叠设置在所述衬底上的第二半导体图案、发光图案和第一半导体图案;所述LED芯片还包括与所述第一半导体图案接触的第一电极和与所述第二半导体图案接触的第二电极;
所述芯片晶圆还包括设置在所述衬底上的第一信号线和第二信号线;所述第一信号线用于在检测所述LED芯片是否损坏时,给多个所述LED芯片的所述第一电极提供电信号,所述第二电极均与所述第二信号线电连接,所述第二信号线用于在检测所述LED芯片是否损坏时,给所述第二电极提供电信号;
所述芯片晶圆还包括多个控制开关;一个所述控制开关与一个所述LED芯片对应;
每个所述控制开关包括至少一个晶体管;
所述控制开关用于在检测所述LED芯片是否损坏时,控制与其对应的LED芯片发光,且所述控制开关中的晶体管还可复用为控制电路中的晶体管。
2.根据权利要求1所述的芯片晶圆,其特征在于,所述芯片晶圆至少还包括扫描信号线、数据信号线以及多个控制电路;一个所述控制电路与一个所述LED芯片对应;
每个所述控制电路至少与所述扫描信号线、所述数据信号线、所述第一信号线以及所述第一电极电连接,至少在所述扫描信号线和所述数据信号线上信号的控制下,将所述第一信号线与所述第一电极连通,以给所述第一电极提供电信号。
3.根据权利要求2所述的芯片晶圆,其特征在于,所述控制电路包括第一晶体管、第二晶体管以及存储电容;
所述第一晶体管的栅极与所述扫描信号线电连接,第一极与数据信号线电连接,第二极与所述第二晶体管的栅极电连接;
所述第二晶体管的第一极与第一信号线电连接,第二极与所述LED芯片的所述第一电极电连接;
所述存储电容的一端与所述第二晶体管的栅极电连接,另一端与所述第一信号线电连接。
4.根据权利要求3所述的芯片晶圆,其特征在于,所述第一半导体图案相对于所述第一晶体管、所述第二晶体管靠近所述衬底;
所述LED芯片的第二电极与所述第二晶体管的第二极共用。
5.根据权利要求1所述的芯片晶圆,其特征在于,多个所述LED芯片的所述第一电极均与所述第一信号线电连接。
6.一种芯片晶圆的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成多个LED芯片、第一信号线和第二信号线;
其中,所述LED芯片包括依次层叠设置在所述衬底上的第二半导体图案、发光图案和第一半导体图案;所述LED芯片还包括与所述第一半导体图案接触的第一电极和与所述第二半导体图案接触的第二电极;所述第一信号线用于给多个所述LED芯片的所述第一电极提供电信号,所述第二电极均与所述第二信号线电连接,所述第二信号线用于给所述第二电极提供电信号;
在所述衬底上形成所述LED芯片的第一半导体图案之后,所述芯片晶圆的制备方法还包括:
在所述第一半导体图案上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成多个控制开关;一个所述控制开关与一个所述LED芯片对应,每个所述控制开关包括至少一个晶体管。
7.根据权利要求6所述的芯片晶圆的制备方法,其特征在于,所述芯片晶圆的制备方法还包括:
在所述衬底上至少形成扫描信号线、数据信号线以及多个控制电路;一个所述控制电路与一个所述LED芯片对应;
其中,每个所述控制电路至少与所述扫描信号线、所述数据信号线、所述第一信号线以及所述第一电极电连接,至少在所述扫描信号线和所述数据信号线上信号的控制下,将所述第一信号线与所述第一电极连通,以给所述第一电极提供电信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的