[发明专利]宽炉膛高温烧结炉的炉顶结构

说明书

一种宽炉膛高温烧结炉的炉顶结构，属于电子窑炉设施技术领域。宽炉膛高温烧结炉包括炉体，炉体的中央位置构成有炉膛，炉顶结构包括炉膛顶壁砖、硅钼棒左加热元件让位孔砖和硅钼棒右加热元件让位孔砖，炉膛顶壁砖对应于炉膛的顶部且自炉膛的长度方向的前端以一枚挨着一枚的状态直至分布于炉膛的长度方向的后端，炉膛顶壁砖朝向上的一侧的表面是平坦的、朝向下的一侧有炉膛顶壁砖自补强凹腔，硅钼棒左加热元件让位孔砖的右侧探入炉膛，硅钼棒右加热元件让位孔砖的左侧探入炉膛，炉膛顶壁砖的左侧支承在硅钼棒左加热元件让位孔砖的右侧上方、右侧支承在硅钼棒右加热元件让位孔砖的左侧上方。减少工作量，降低砌筑难度；保障炉体的整体稳定性。

技术领域

本发明属于电子窑炉设施技术领域，具体涉及一种宽炉膛高温烧结炉的炉顶结构。

背景技术

前述烧结炉的炉膛尺寸通常有三种：一为窄炉膛，适应边长为220mm以下的单推板，由于这种炉膛宽度尺寸相对较小，因而不能适应大尺寸推板；二为较宽炉膛，也称大尺寸单推板炉膛，适应边长为220-340mm以上的推板；三为宽炉膛，能适应边长为220-340mm以上的双推板或三推板。

如业界所知，不论是用于烧结各类电子元器件，还是用于烧结各种普通的以及特殊并且高端的电子粉体材料的烧结炉，炉膛结构是构成炉体主体的关键部分。对此可以由中国专利CN105783517A推荐的“电池材料烧结炉的炉膛结构”以及CN204934610U提供的“MIN烧结炉的炉膛加热装置”印证。

在上述窄炉膛、较宽炉膛和宽炉膛三种炉膛中，窄炉膛的炉顶结构相对简单，具体地讲，对应于炉膛顶部的炉顶砖采用传统的平砌方式形成平顶结构，即能满足使用要求以及保障炉体结构稳定的要求；对于较宽炉膛，炉顶砖普遍采用人字顶结构，由于人字顶结构为两枚砖或称由两侧的砖拼搭互为支撑而成，并且由于炉壁砖的顶面是斜的，因而在斜面上砌筑炉顶砖也必需是斜面的，于是因砌筑难度大而使效率低下，砌筑工程量大，并且由于砌筑要求十分严苛，因而制作成本较高，此外如果炉子采用硅钼棒作为加热元件时，硅钼棒的安装布置也相应十分困难。此外，人字顶结构受压时，会产生向两边的挤推力，存在引发炉体变形之虞；对于宽炉膛，即对应双推板或三推板的烧结炉炉膛，通常采用圆弧拱顶结构，这种结构的砌筑工程量大，炉顶结构的稳定性难以保障，并且不适合1500-1700℃左右的烧结高温。

就炉膛的整体结构而言，由沿着炉体长度方向的对应两侧砌筑的炉壁砖、位于炉体底部的炉底砖以及位于炉体顶部的炉顶砖砌筑而成。

进而如业界所知，有些电子材料如氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片等等的烧结温度相对较高，并且在1500-1600℃左右，于是如果使用传统的电热丝之类的加热元件，那么因极易氧化而无法满足业界期望的加热元件使用寿命，并且因停炉更换频繁而一方面影响产能，另一方面不利于节省能耗，再一方面设备管护人员的工作量大。

仍如业界所知，硅钼棒实质上为二硅化钼电热组件，是一种以硅化钼为基础的电阻发热组件，在氧化气氛下加热至高温，表面生成的一层致密的石英玻璃膜能起到良好的保护作用，使硅钼棒不再氧化。因此鉴于硅钼棒具有拔萃的高温抗氧化性能，在氧化气氛下最高可达1800℃，并且其通常的适用温度为1500-1700℃左右，因而对于烧结前述氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片以及高端电子磁性材料、高档冶金材料、耐火材料等等能发挥良好的积极作用。

对于前述宽炉膛乃至较宽炉膛的高温烧结炉采用形状呈U字形的硅钼棒加热元件是优选的并且实践证明能为业界认可和接受的技术手段。具体而言，在炉体的炉膛两侧并且沿着炉膛的长度方向各以间隔状态设置前述U字形的硅钼棒加热元件，硅钼棒的加热元件的功率以及前后两相邻硅钼棒的间隔距离按照烧结材料和/或工艺要求确定。