[发明专利]一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置

权利要求书

1.一种单晶硅缺陷区域的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取样品硅片沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值；

对所述样品硅片进行热处理，使间隙氧在空位型缺陷区域形核沉淀；

获取热处理后的样品硅片沿直径方向上的所述多个测试位点的第二间隙氧浓度值；计算得到每个所述测试位点第二间隙氧浓度值与第一间隙氧浓度值的差值；

获取热处理后的样品硅片表面的缺陷区域形貌图；

比较所述缺陷区域形貌图与所述测试位点的间隙氧浓度的差值，确定所述样品硅片的空位型缺陷区域与间隙型缺陷区域的分布。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取样品硅片沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值包括：

利用红外光谱仪沿样品硅片的直径方向进行扫描，获取样品硅片沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取热处理后的样品硅片沿直径方向上的所述多个测试位点的第二间隙氧浓度值包括：

利用红外光谱仪沿样品硅片的直径方向进行扫描，获取热处理后的样品硅片沿直径方向上的所述多个测试位点的第二间隙氧浓度值。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对所述样品硅片进行热处理包括：

将所述样品硅片依次在700～900℃条件下处理4～6小时，在1000～1050℃条件下处理10～17小时。

5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对所述样品硅片进行热处理包括：

将所述样品硅片依次在1000～1050℃条件下处理的时间为4～6小时，在700～900℃条件处理4～6小时，在1000～1050℃条件下处理10～17小时。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述对所述样品硅片进行热处理包括：

将所述样品硅片依次在700～900℃条件处理4～6小时，在1000～1050℃条件下处理的时间为4～6小时，在700～900℃条件处理4～6小时，在1000～1050℃条件下处理4～6小时。

7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取热处理后的样品硅片表面的缺陷区域形貌图包括：

利用X射线扫描获取热处理后的样品硅片表面的缺陷区域形貌图。

8.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述样品硅片由硅锭切片制得。

9.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述比较所述缺陷区域形貌图与所述测试位点的间隙氧浓度的差值，确定所述样品硅片的空位型缺陷区域与间隙型缺陷区域的分布，具体包括：

根据所述缺陷区域形貌图，确定热处理后的样品硅片表面的缺陷区域分布情况；

比较每个所述测试位点的间隙氧浓度的差值，间隙氧浓度的差值大的测试位点集中的区域为空位型缺陷区域，间隙氧浓度的差值小的测试位点集中的区域为间隙型缺陷区域。

10.一种单晶硅缺陷的检测装置，其特征在于，包括：

第一模块，用于获取样品硅片沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值以及第二间隙氧浓度值；

第二模块，用于获得样品硅片表面的缺陷区域形貌；

第三模块，用于比较硅片表面的缺陷区域与所述测试位点的间隙氧浓度差值，确定空位型缺陷区域与间隙型缺陷区域的分布。