[发明专利]紫外LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910761882.6 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110459656B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 付羿;刘卫;刘乐功;彭翔 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 led 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种紫外LED外延片，其特征在于，包括：生长衬底、低缺陷密度GaN层、图形中间层、n型AlGaN电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层，所述低缺陷密度GaN层、图形中间层、n型AlGaN电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层依次生长于所述生长衬底表面，其中，图形中间层由GaN条状图形组成，厚度在1000~1500nm之间，宽度在1~10μm，相邻条状图形之间的间隔在1~10μm之间；n型AlGaN电流扩展层横向生长在图形中间层上，图形中间层保持GaN条状图形之间的中空结构；
所述低缺陷密度GaN层的厚度在1000~1500nm之间。
2.一种紫外LED外延片制备方法，其特征在于，包括：
S1 在MOCVD系统中，在生长衬底表面生长低缺陷密度GaN层；
S2 将生长有低缺陷密度GaN层的生长衬底从MOCVD系统中降温取出，采用光刻工艺在所述低缺陷密度GaN层上制备图形中间层；所述图形中间层由GaN条状图形组成，厚度在1000~1500nm之间，宽度在1~10μm，相邻条状图形之间的间隔在1~10μm之间；
S3 将表面制备有低缺陷密度GaN层和图形中间层的生长衬底放入MOCVD系统中，在所述图形中间层表面依次生长n型AlGaN电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层，完成紫外LED外延片的制备；n型AlGaN电流扩展层横向生长在图形中间层上，图形中间层保持GaN条状图形之间的中空结构；
在步骤S1中，所述低缺陷密度GaN层的厚度在1000~1500nm之间。
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