[发明专利]三足戴帽配体及其合成方法、具有三足戴帽配体的含钼配合物及其合成方法

说明书

本发明提供了一种新的三足戴帽配体及其合成方法、具有三足戴帽配体的含钼配合物及其合成方法。三足戴帽配体L为含N杂环化合物，由于这种配合物上的配体易于被调换和修饰，从而在所得簇合物性能不理想时可以有目的修改配体或其取代基团；同时，使用三氰构筑模块可以方便和可控地合成各种结构类型的多核簇合物。本发明的合成方法，收率比较高。

技术领域

本申请属于化工领域，具体涉及一种三足戴帽配体及其合成方法、具有三足戴帽配体的含钼配合物及其合成方法。

背景技术

近年来，一类由于分子内电子转移而引起的磁性质变化的磁性配合物引起了人们的兴趣。该类配合物的磁性质变化的原因是：在如温度变化、光照变化，压力变化等外界刺激下，分子内的金属离子的价态改变而引起；价态改变的原因是发生了分子内金属离子间或者金属离子与有机配体间的电子转移。就目前发表的有限的相关论文来看这类分子主要包括含氰桥的混价双(多)金属配位聚合物或簇合物和含醌-金属的配合物。到目前为止，由热致和光致引起的分子内电子转移的工作还非常有限，仅有少数簇合物分子和一些多维配位聚合物被报道表现出了这种由电荷转移引起的自旋转变行为，如附图1。

由于多维的配位聚合物的溶解性不好，难以加工，不能在分子水平上被修饰到纳米级的电子器件中，不利于将来应用于分子水平的高密度信息存储材料。而具有高的基态自旋、可溶解于普通溶剂中，易于修饰和加工处理的多金属簇合物则具有其独特的优势。然而，目前报道的具有这类性质的多金属簇合物分子仍不多。其诱人的应用前景和其本身的独特性质，都有待我们去深入研究。

有鉴于此，有必要提供一种新的三足戴帽配体及其合成方法、具有三足戴帽配体的含钼配合物及其合成方法。

发明内容

为了解决上述问题之一，本申请提出了一种新的三足戴帽配体及其合成方法、具有三足戴帽配体的含钼配合物及其合成方法。

鉴于氰根是一个优良的桥连配体，能够很好的传递磁交换作用和电子；而且一些氰化物对光敏感。我们研究含氰基钼的簇合物分子，是由于氰基钼的化合物具有优良的光磁性质。本发明的目的在于设计合成一些新的含有戴帽配体L的三氰[LMo/W(CN)₃]型的配合物(或称三氰[LMo/W(CN)₃]型构筑模块)，配体L为含N杂环化合物，由于这种构筑模块上的配体易于被调换和修饰，从而在所得簇合物性能不理想时可以有目的修改配体或其取代基团。同时，使用三氰构筑模块可以方便和可控地合成各种结构类型的多核簇合物，重点研究具有双金属整数比结构类型的簇合物。

为了实现上述目的，本申请提供一种三足戴帽配体KTp，所述三足戴帽配体为含氮杂环化合物，其结构式为：

为实现上述发明目的，本发明还提供一种三足戴帽配体KTp的合成方法，包括如下步骤：(1)将0.64mol吡唑与0.2mol硼氢化钾的混合物加入圆底烧瓶中；(2)除去空气，通入Ar气，搅拌；(3)缓慢加热，这里温度由100℃→120℃→140℃→160℃→180℃→200℃逐步上升，反应16个小时；(4)冷却至120℃，加入250mL甲苯回流1小时，热过滤后将所得白色固体真空干燥得到三足戴帽配体。

为实现上述发明目的，本发明还提供一种三足戴帽配体TMIP，所述三足戴帽配体为含氮杂环化合物，其结构式为：