[发明专利]纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管有效
申请号: | 201910762802.9 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN112391698B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | D01F9/10 | 分类号: | D01F9/10;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
本发明属于平板显示技术领域,具体涉及一种纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。本发明所提供的纳米材料的制备方法包括以下步骤:提供锌前驱体、氨基化合物、聚合物和溶剂,将锌前驱体、氨基化合物、聚合物溶解在溶剂中,制备纺丝溶液;将纺丝溶液进行纺丝处理,制备前驱体纤维;在含氧气氛下,将前驱体纤维进行高温烧结处理,获得氨基化氧化锌纳米纤维。通过结合纺丝处理以及在含氧气氛下高温烧结的技术,合成了一种氧化锌纳米纤维,具有纤维细长的特性和交错的形貌,并在合成过程中同步对氧化锌进行表面氨基化修饰改性,大大提升了氧化锌纳米材料的电子传输效率。
技术领域
本发明属于平板显示技术领域,具体涉及一种纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)是一种电致发光器件,具有光谱连续可调、发光光谱窄、量子效率高等优点,在显示领域有着光明的应用前景。QLED主要包括相对设置的阴极和阳极,设置在阴极和阳极之间的量子点发光层,以及设置在量子点发光层和阴极之间的电子传输层,通过量子点发光层两侧注入的电子和空穴在量子点发光层复合发光。目前,QLED器件的发光效率仍受电子传输材料的限制而难以达到商业化生产的要求,其中,较低的电子传输效率是限制其发光性能的原因之一。
氧化锌是一种直接宽带隙的n型半导体,在室温下的禁带宽度为3.37ev,这种能带结构特点决定了氧化锌可成为合适的电子传输层材料,且氧化锌还具有化学性质稳定、资源丰富和价格便宜等特点,故采用基于氧化锌纳米材料的电子传输材料来制备QLED的电子传输层,成为了量子点发光二极管的制备技术中比较热门的研究内容之一。现有技术中,一般利用氧化锌纳米颗粒作为QLED的电子传输材料,然而,研究发现,即便对该氧化锌纳米颗粒进行各种表面修饰,其电子传输效率依然不能满足商业化生产的要求,仍需进一步改进。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种纳米材料的制备方法及由此得到的纳米材料,旨在提升基于氧化锌纳米材料的纳米材料的电子传输效率。
本发明的另一发明目的在于提供一种量子点发光二极管。
为了实现上述发明目的,本发明提供了下述技术方案:
一种纳米材料的制备方法,包括以下步骤:
提供锌前驱体、氨基化合物、聚合物和溶剂,将所述锌前驱体、所述氨基化合物、所述聚合物溶解在所述溶剂中,制备纺丝溶液;
将所述纺丝溶液进行纺丝处理,制备前驱体纤维;
在含氧气氛下,将所述前驱体纤维进行高温烧结处理,获得氨基化氧化锌纳米纤维。
本发明提供的上述纳米材料的制备方法,通过结合纺丝处理以及在含氧气氛下高温烧结的技术,合成了一种氧化锌纳米纤维,具有纤维细长的特性和网络交错的形貌,并在合成过程中同步对氧化锌进行表面氨基化修饰改性,使得氧化锌纳米纤维的表面带有氨基活性基团,大大提升了氧化锌纳米材料的电子传输效率,方法简单,操作简便,易于控制,安全稳定。
相应的,一种纳米材料,包括:氨基化氧化锌纳米纤维。
本发明提供的纳米材料,为氨基化氧化锌纳米纤维,一方面,其具有纤维细长的特性和交错的形貌,有助于提升电子在传输膜层中的传输效率;另一方面,其表面具有多个氨基活性基团,可在多根纤维交错的接触位点形成给电子共轭效应,提高纤维与纤维之间的接触位点的电子云密度,形成电子高通量通道,减少多根氧化锌纳米纤维之间电子传输的瓶颈效应,从而大大提高氧化锌纳米材料的电子传输效率。
相应的,一种量子点发光二极管,包括相对设置的阴极和阳极,设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层,以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层,所述电子传输层的材料包括:由前述制备方法制得的纳米材料或上述纳米材料。
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