[发明专利]一种新型高准确度差压变送器在审
申请号: | 201910763582.1 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110595672A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 陈林;何亚州;闵沛 | 申请(专利权)人: | 江苏杰克仪表有限公司 |
主分类号: | G01L13/02 | 分类号: | G01L13/02;G01L13/06;G01L9/06;G01L19/06 |
代理公司: | 32267 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 薛寓怀 |
地址: | 211600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管座 差压传感器 差压变送器 测量膜 转接端子 准确度 芯片 贴片二极管 响应灵敏度 玻璃烧结 高可靠性 高稳定性 过载能力 烧结部件 输出线性 优化设计 胶水 玻璃管 系列化 壳体 引脚 油管 体内 应用 | ||
一种新型高准确度差压变送器,包括壳体、差压传感器、测量膜盒,所述差压传感器、测量膜盒安装在所述壳体内,所述差压传感器安装在所述测量膜盒上方;所述差压传感器包括芯片、管座,所述管座由管座本体与转接端子组成,所述管座本体与转接端子通过玻璃烧结连接在一起,所述芯片、管座通过胶水在所述管座底部固定连接;所述管座本体包括差压烧结部件、贴片二极管、引脚玻璃管、引线、油管。本发明所述的一种新型高准确度差压变送器,高精度、高稳定性、高可靠性,通过结构的优化设计,解决了现有技术中差压变送器固有过载能力差的问题,提高了差压传感器输出线性度和响应灵敏度,成本低、易于系列化,应用前景广泛。
技术领域
本发明涉及差压变送器技术领域,具体涉及一种新型高准确度差压变送器。
背景技术
差压变送器是用来检测生产过程运行中流体的流量、差压、压力、液位、密度等参数的现场仪表,因它直接与被测介质相接触,所以经常在高温、低温、腐蚀、振动、冲击、辐射等恶劣环境中运行,以及由于工艺流程的大型化、复杂化及计算机集散控制的应用,因此对变送器的精确度、长期稳定性、可靠性等均有很高的要求。
从早期精度低、笨重的大位移水银浮子式差压计,到50年代体积大、结构复杂、可靠性差、精度低的力平衡式差压变送器。到了70年代,随着技术的发展,出现了第3代微位移电子式变送器。经过了几十年的发展历程,新一代差压变送器结构简单、体积小、精度高、可靠性好。敏感元件主要有电容式、扩散硅式、电感式等。进入90年代,由于电子技术、计算机技术的高速发展以及微电子机械技术的出现,使差压变送器越做越小,功能也越来越强,正向微型化、高精度、智能化、数字化方向快速发展。
差压变送器中最核心的部件是差压传感器,差压传感器有着广泛的应用领域,尤其在航空航天、汽车工业以及石油石化中有着重要的应用。比如说在汽车领域,差压传感器可以用来检测油压、轮胎内气压、气缸是否漏气、引擎表面的温度差以及引擎内压力差等方面的参数与性能。需要说明的是,在某些苛刻的工业环境下的应用,对差压传感器的过载特性提出了新的挑战与要求,为此有必要研究具有过载保护特性、高精度、高可靠性,可适用于各种苛刻或极端工业环境下的差压传感器。
中国专利申请号为 CN201410398606.5公开了一种智能微差压变送器及其方法,提高了整体电路和传输信号的稳定性,具有较强的抗干扰能力,没有对过载保护特性、高精度、高可靠性进行提高。
发明内容
发明目的:为了克服以上不足,本发明的目的是提供一种新型高准确度差压变送器,高精度、高稳定性、高可靠性,通过结构的优化设计,解决了现有技术中差压变送器固有过载能力差的问题,提高了差压传感器输出线性度和响应灵敏度,成本低、易于系列化,应用前景广泛。
技术方案:一种新型高准确度差压变送器,包括壳体、差压传感器、测量膜盒,所述差压传感器、测量膜盒安装在所述壳体内,所述差压传感器安装在所述测量膜盒上方;所述差压传感器包括芯片、管座,所述管座由管座本体与转接端子组成,所述管座本体与转接端子通过玻璃烧结连接在一起,所述芯片、管座通过胶水在所述管座底部固定连接;所述管座本体包括差压烧结部件、贴片二极管、引脚玻璃管、引线、油管,所述贴片二极管设置在所述差压烧结部件上,所述引线上部与所述转接端子相连、下部通过所述引脚玻璃管与所述芯片连接,所述油管穿设于所述差压烧结部件上;所述引线为镀金材料,所述油管为合金材质。
在某些苛刻的工业环境下,现有技术中的差压变送器由于抗高温高压及抗过载特性无法满足要求,使得差压变送器的精度、可靠性下降。差压变送器,是用来测量流体压力差压,其核心测量元件是差压传感器。
本发明所述的新型高准确度差压变送器,所述差压传感器采用单晶硅压阻式差压传感器,是利用硅晶体的压阻效应来工作的。压阻效应是指当沿着半导体材料的某一方向施加一定的应力时,除了其本身结构上产生相应的变形,还会微观上将半导体材料内部载流子的运动状态改变,从而宏观上使其电阻率发生变化的现象。
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