[发明专利]一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高热导率氮化硅陶瓷，其特征在于：按重量份数计，所述氮化硅陶瓷由以下原料组份制成：氮化硅60～90份、碳化硅8～12份、稀土氯化物3～5份、氟化镱0.2～1份、氮化锆0.5～2份、分散剂5～10份。

2.根据权利要求1所述的一种高热导率氮化硅陶瓷，其特征在于：所述稀土氯化物为YCl₃、LaCl₃、GdCl₃、TbCl₃、YbCl₃、LuCl₃中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种高热导率氮化硅陶瓷，其特征在于：所述分散剂为聚异丁烯基丁二酰亚胺、聚氧化乙烯、聚乙烯蜡、三硬脂酸甘油酯中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一权利要求所述的高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：按重量份数计称量氮化硅60～90份、碳化硅8～12份、稀土氯化物3～5份、氟化镱0.2～1份、氮化锆0.5～2份、分散剂5～10份进行混合，得混合原料；

步骤2：将步骤1得到混合原料和45～60份异丙醇加入球磨机中进行第一次研磨粉碎，将粉碎后的混合原料进行烘干处理，将烘干后的混合原料进行第二次研磨粉碎，然后过80～120目筛，得到混合均匀的粉体；

步骤3：将步骤2得到的混合粉体依次进行模压成型和冷等静压成型，得素坯；

步骤4：将步骤3成型后所得的素坯在0.1～0.5MPa的氮气气氛下进行微波烧结，烧结温度为1600～1780℃，烧结时间为3～6h，得氮化硅陶瓷。

5.根据权利要求4所述的一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤2中第一次研磨粉碎的时间为15～18h，所述的第二次研磨粉碎的时间为2～4h。

6.根据权利要求4所述的一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤3中模压成型的压力为30～50MPa，冷等静压成型的压力为180～250MPa。