[发明专利]衬底处理设备和方法

权利要求书

1.一种衬底处理设备，其包括：

湿法处理站，其包括用于在衬底上涂布抗蚀剂的抗蚀剂涂布装置和/或用于在所述衬底上显影所述抗蚀剂的显影处理装置；

额外处理站；和

衬底处置器，其用于将所述衬底移动到所述湿法处理站和/或所述额外处理站且在进入和/或离开所述衬底处理设备的方向上移动所述衬底；其中所述额外处理站包括渗透装置，所述渗透装置包括：

反应腔室，其具有衬底固持器以固持具有可渗透材料的至少一个衬底；

前体分布和去除系统，其包括一个或多个反应腔室阀以将气态第一前体提供到所述反应腔室并从所述反应腔室去除气态第一前体；和

序列控制器，其可操作地连接到所述前体分布和去除系统并且包括存储器，所述存储器具有程序以当在所述序列控制器上运行时通过渗透循环执行所述衬底上所述可渗透材料的渗透，所述渗透循环包括启动所述前体分布和去除系统以在第一时段内在所述反应腔室中提供所述第一前体，从而渗透所述衬底上的所述可渗透材料。

2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环进一步包括启动所述前体分布和去除系统以在第二时段内从所述反应腔室去除所述第一前体的一部分。

3.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中所述前体分布和去除系统包括一个或多个反应腔室阀以将气态第二前体提供到所述反应腔室并从所述反应腔室去除气态第二前体，并且存储在所述存储器中的所述渗透循环进一步包括启动所述前体分布和去除系统以在第三时段内在所述反应腔室中提供所述第二前体，从而用所述可渗透材料或所述第一前体与所述第二前体的反应的反应产物渗透所述衬底上的所述可渗透材料。

4.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环进一步包括启动所述前体分布和去除系统以在第四时段内从所述反应腔室去除所述第二前体的一部分并重复所述渗透循环1到60次，优选地1到10次，且最优选地1到3次。

5.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环具有长于所述第三时段的所述第一时段。

6.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环具有长于所述第一时段的所述第三时段。

7.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环进一步具有在所述第三时段的0.1到10,000倍，优选地1到1,000倍，且最优选地5到100倍之间的所述第一时段。

8.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述额外处理站被构造和布置成将金属渗透在所述可渗透材料中。

9.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述额外处理站的所述前体分布和去除系统被构造和布置成在所述反应腔室中提供金属卤化物。

10.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述额外处理站的所述前体分布和去除系统被构造和布置成在所述反应腔室中提供包括镁和/或钙的前体。

11.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述额外处理站的所述前体分布和去除系统被构造和布置成在所述反应腔室中提供包括金属的前体，所述金属来自包括以下的组：铝(Al)、铪(Hf)、镓(Ga)、锗(Ge)、锆(Zr)、铟(In)、锂(Li)、碲(Te)、锑(Sb)和锡(Sn)。

12.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述额外处理站的所述前体分布和去除系统被构造和布置成在所述反应腔室中提供包括SnI4或SnCl4的前体。

13.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述渗透装置的所述前体分布和去除系统被构造和布置成在所述反应腔室中提供包括金属烷基酰胺前体的前体。