[发明专利]电子装置在审
申请号: | 201910764145.1 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN112394574A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 林子翼;陈其伟;曾宇志;赖柜宏 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13363 | 分类号: | G02F1/13363 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
第一塑胶基板;
第二塑胶基板;
液晶层,位于所述第一塑胶基板与所述第二塑胶基板之间;以及
第一补偿膜,接合至所述第一塑胶基板,其中所述第一补偿膜的主轴折射率包括nx1、ny1及nz1,且nx1、ny1及nz1满足:
nx1nz1及
ny1nz1。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:
第二补偿膜,接合至所述第二塑胶基板,其中所述第二补偿膜的主轴折射率包括nx2、ny2及nz2,且nx2、ny2及nz2满足:
nx2nz2及
ny2nz2。
3.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于,还包括:
驱动电路,设置在所述第一塑胶基板上。
4.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述第一补偿膜的厚度相位差值的绝对值大于所述第二补偿膜的厚度相位差值的绝对值。
5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一塑胶基板的厚度大于或等于5微米且小于或等于45微米,且所述第二塑胶基板的厚度大于或等于5微米且小于或等于45微米。
6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,所述第一补偿膜的面内相位差值大于或等于-2纳米且小于或等于2纳米,且所述第一补偿膜的厚度相位差值大于或等于-350纳米且小于或等于-30纳米。
7.根据权利要求6所述的电子装置,其特征在于,还包括:
第二补偿膜,接合至所述第二塑胶基板,其中所述第二补偿膜的面内相位差值大于或等于-2纳米且小于或等于2纳米,且所述第二补偿膜的厚度相位差值大于或等于-300纳米且小于或等于-30纳米。
8.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:
第一偏光片,接合至所述第一塑胶基板,其中所述第一补偿膜位于所述第一偏光片中或位于所述第一偏光片与所述第一塑胶基板之间;以及
第二偏光片,接合至所述第二塑胶基板。
9.根据权利要求8所述的电子装置,其特征在于,还包括:
第二补偿膜,位于所述第二偏光片中或位于所述第二偏光片与所述第二塑胶基板之间,其中所述第二补偿膜的主轴折射率包括nx2、ny2及nz2,且nx2、ny2及nz2满足:
nx2nz2及
ny2nz2。
10.根据权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述第一偏光片以及所述第二偏光片的其中至少一个包括A板、B板、C板或上述至少两种板的组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910764145.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:浮点SIMD上下文切换的性能优化方法
- 下一篇:工控机保护设备及控制方法