[发明专利]PWM信号产生及其误差校正电路

权利要求书

1.PWM信号产生及误差校正电路，其特征在于：包括放大器OP1，放大器OP2，比较器CMP1，比较器CMP2，PMOS场效应管M1-M16，电阻R14，电阻R_FRE，可变电阻R15-R16，电阻R17，电容C1，匹配电阻模块电路，电流漏IDC，以及14比特计数器；

放大器OP1的正输入端连接基准电压VREF1，放大器OP1的输出端连接PMOS场效应管M15的栅极，PMOS场效应管M1、M2、M15和电阻R14串接于电源VCC与地之间，放大器OP1的负输入端连接至M15与电阻R14之间；

PMOS场效应管M3、M4和可变电阻R15串接于电源VCC与地之间；

PMOS场效应管M5、M6和可变电阻R16串接于电源VCC与地之间；

PMOS场效应管M7和PMOS场效应管M8组成PMOS折叠共源共栅电流源；PMOS场效应管M7、M8、M16串接于电源VCC与匹配电阻模块电路的相应输入节点之间；

PMOS场效应管M1、M3、M5和M7的栅极分别连接至PMOS场效应管M15的漏极；PMOS场效应管M2、M4、M6和M8的栅极分别连接至折叠共源共栅电流源的偏置电压VREF2；

放大器OP2的正输入端连接V3，V3为用于设置三角波频率的设置电压，放大器OP2的输出端连接PMOS场效应管M14的栅极，PMOS场效应管M9、M10、M14和电阻R_FRE串接于电源VCC与地之间，放大器OP2的负输入端连接至M14与电阻R_FRE之间，且放大器OP2的负输入端还连接至电流漏IDC，电流漏IDC用于设置电阻R_FRE开路情况下PWM的频率；

PMOS场效应管M11和PMOS场效应管M12是以PMOS场效应管M9为中心一一对称匹配的PMOS折叠共源共栅电流源；PMOS场效应管M11、M12、M13串接于电源VCC与匹配电阻模块电路的相应输入节点之间；

PMOS场效应管M9和M11的栅极分别连接至PMOS场效应管M14的漏极；PMOS场效应管M10和M12的栅极分别连接至折叠共源共栅电流源的偏置电压VREF3；

14比特计数器的14个输出端分别对应连接PMOS场效应管M13的14个管子的栅极，PMOS场效应管M13的14个输出端分别连接至匹配电阻模块电路的14个输入节点,PMOS场效应管M13的输出端还连接一RC滤波器路的输入端，此RC滤波器的输出连接到比较器CMP1的负输入端和比较器CMP2的正输入端，比较器CMP1的正输入端连接V1，V1电压用于设置三角波的最高电压，比较器CMP1的输出端连接14比特计数器的复位端，比较器CMP2的负输入端连接占空比设置引脚，比较器CMP2的输出端输出PWM信号。

2.根据权利要求1所述的PWM信号产生及误差校正电路，其特征在于：PMOS场效应管M1－M8的管子数量均为偶数个，在版图分布上，M1，M2放在中间，两边依次放置M3和M4，M5和M6，M7和M8；PMOS场效应管M1,M3,M5,M7在版图上做好几何中心对称匹配；PMOS场效应管M2,M4,M6,M8在版图上做好几何中心对称匹配。