[发明专利]一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910764472.7 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110436515A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 刘光波;姜鲁华;许颖双 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人： | 郝团代 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米片 介孔 氧空位 富含 气氛炉 前躯体 制备 化学气相沉积 退火 太阳能电池 氧化性气氛 锂离子电池 可见光 氩气 电学性能 工艺制备 混合气氛 介孔结构 制备工艺 氢气 煅烧 催化 吸收 | ||
1.一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法，其特征在于该方法具体包括如下步骤：
步骤一：采用化学气相沉积工艺在衬底上生长SnS2纳米片前躯体；
步骤二：将SnS2纳米片前躯体在氧化气氛炉内煅烧获得普通白色介孔SnO2纳米片；
步骤三：将普通白色介孔SnO2纳米片置于还原性气氛炉中，在氩气和氢气混合气氛中退火以获得富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片。
2.根据权利要求1所述的一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法，其特征在于：步骤一所述的化学气相沉积在气氛保护炉中进行，保护气氛为氩气等惰性气体，原料为硫粉和五水四氯化锡粉，其质量比为2/1，生长衬底为氟掺杂二氧化锡透明导电玻璃(FTO)或者碳纸(CP)。
3.根据权利要求1所述的一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法，其特征在于：步骤一中所述的制备SnS2纳米片前躯体的生长温度为450-500℃，生长时间为5-20min，生长衬底置于五水四氯化锡粉下游，距其5～15cm处。
4.根据权利要求1所述的一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法，其特征在于：步骤二中SnS2纳米片前躯体在氧化气氛炉内的煅烧温度为450-600℃，氧化气氛可以是空气或者氧气，升温速率为2-5℃/min，保温时间为60-180min。
5.根据权利要求1所述的一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法，其特征在于：步骤三中所述的混合气氛中氩气和氢气的流量分别为40-80sccm和10-20sccm，升温速率为5-10℃/min，保温时间为30-90min，退火温度为400-500℃。
6.根据权利要求1所述的一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法，其特征在于：所述黑色介孔SnO2纳米片的孔径大小为10-50nm。
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