[发明专利]氧化过的铝上的多个空穴注入结构及其在有机发光装置中的应用

权利要求书

1.发光装置，包括：

a)基底；

b)在所述基底上的铝层和在所述铝层的顶部上的第一氧化过的铝层；

c)多层空穴注入结构，所述多层空穴注入结构包括

在所述第一氧化过的铝层的顶部上的高功函过渡金属氧化物材料的层；

在所述高功函过渡金属氧化物材料的顶部上的空穴传输层，其中所述过渡金属氧化物与下面的铝产生导电接触，以允许空穴从所述铝层转移至所述空穴传输层；

d)在所述多层空穴注入结构的顶部上的电致发光材料的层；

e)在所述电致发光材料上的导电且透光的阴极层；以及

f)连接阳极和阴极的电源。

2.根据权利要求1所述的发光装置，还包括夹在所述电致发光材料与所述导电且透光的阴极层之间的在所述电致发光材料的层的顶部上的电子传输层。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中通过将所述铝层暴露于周围环境来形成在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中通过将所述铝层暴露于紫外-臭氧环境来形成在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中通过将所述铝层暴露于含氧等离子体来形成在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中使用化学气相沉积来形成在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层含有氮。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层具有约0.5nm至约4nm的厚度。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述高功函过渡金属氧化物材料的层具有大于约5eV的功函。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述高功函过渡金属氧化物材料的层是金属氧化物层。

11.根据权利要求10所述的发光装置，其中所述金属氧化物层是MoO₃、ReO₃和WO₃中的任一种的层。

12.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述高功函过渡金属氧化物材料的层是具有大于5.2eV的功函的含氮化合物。

13.根据权利要求12所述的发光装置，其中所述含氮化合物是TiN、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)和聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)中的任一种。

14.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述铝选自铝和基于铝的化合物。

15.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述铝选自Al，以及基于AgAl、TiAl和CuAl的合金。

16.根据权利要求2所述的发光装置，其中通过将所述铝层暴露于周围环境来形成在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层。

17.根据权利要求2所述的发光装置，其中通过将所述铝层暴露于紫外-臭氧环境来形成在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层。

18.根据权利要求2所述的发光装置，其中通过将所述铝层暴露于含氧等离子体来形成在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层。

19.根据权利要求2所述的发光装置，其中使用化学气相沉积来形成在所述铝层的顶部上的所述第一氧化过的铝层。