[发明专利]发光二极管

说明书

本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明涉及一种适用于在发光二极管，尤其涉及一种具有布拉格反射结构的发光二极管。

背景技术

近年来发光二极管(Light emitting diode，简称LED)的发光效率不断提升。另一方面，相较于传统灯泡，发光二极管具有以下的优势：例如体积小、寿命长、低电压/电流驱动、不易破裂、不含水银(没有污染问题)以及发光效率佳(省电)等特性。由于上述这些优点以及发光二极管的发光效率于近年来快速的发展使得发光二极管已渐渐取代传统灯泡，因此发光二极管在照明领域及显示领域中受到极大的重视。

提升发光二极管的发光效率正是发光二极管可以应用在不同的领域的关键。一般来说，会在发光二极管的一侧制作分布式布拉格反射结构(Distributed BraggReflector，简称DBR)，以将发光二极管的发光层所发出的部分光线经过反射而朝向预定的发光方向发射出去以提升出光效率(Light Extraction Efficiency)。传统上反射结构的材料包括金(Au)-银(Ag)-锡(Sn)合金。不过，传统的反射结构无法在各种波长范围都提供良好的反射率。于是提升发光二极管在各种波长范围的发光效率为目前研发人员亟欲解决的问题之一。

发明内容

本发明提供一种发光二极管，其具有良好的发光效率。

本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，光束在发光波长范围具有一峰值波长，且发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧。布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm的一反射波长范围的反射率为90％以上，其中在至少涵盖0.9X nm至1.6X nm的一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。

在本发明的一实施例中，上述的布拉格反射结构包括多个第一折射层以及多个第二折射层，第一折射层与第二折射层交替堆叠，且各第一折射层的折射率异于各第二折射层的折射率。

在本发明的一实施例中，上述的第一折射层的材料包括五氧化二钽(Ta₂O₅)、二氧化锆(ZrO₂)、五氧化二铌(Nb₂O₅)、氧化铪(HfO₂)、二氧化钛(TiO₂)或上述的组合。

在本发明的一实施例中，上述的第二折射层的材料包括二氧化硅(SiO₂)。

在本发明的一实施例中，上述的第一折射层的厚度与第二折射层的厚度由布拉格反射结构的一侧朝另一侧逐渐改变。

在本发明的一实施例中，上述的第一型半导体层具有一第一部分以及一第二部分。发光层叠置于第一部分上。第二部分由第一部分向外延伸而凸出于发光层的面积以与第一电极电性连接。第一电极、发光层、第二型半导体层与第二电极位于第一型半导体层的一第一侧。

在本发明的一实施例中，上述的布拉格反射结构位于第一型半导体层的一第二侧，且第一侧与第二侧彼此相对。