[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供第一管芯，其中所述第一管芯包括第一衬底、第一内连结构以及第一焊盘，所述第一内连结构位于所述第一衬底之上，所述第一焊盘设置在所述第一内连结构之上且电连接到所述第一内连结构；

在所述第一管芯之上形成第一结合介电层，以覆盖所述第一管芯；以及

使用单镶嵌工艺形成穿透所述第一结合介电层的第一结合通孔，以电连接所述第一内连结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一结合通孔包括：

在所述第一结合介电层之上形成掩模层，其中所述掩模层具有开口以暴露出所述第一结合介电层的一部分；

使用所述掩模层作为掩模来部分地移除所述第一结合介电层，以形成通孔洞；

移除所述掩模层；

在所述通孔洞中形成导电材料；以及

移除所述通孔洞外的所述导电材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一结合通孔直接接触所述第一内连结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一结合通孔直接接触所述第一焊盘。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一结合通孔未形成有转折点。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供第二管芯，其中所述第二管芯上具有第二结合通孔及第二结合介电层；以及

通过将所述第一结合通孔与所述第二结合通孔结合在一起以及将所述第一结合介电层与所述第二结合介电层结合在一起来对所述第一管芯与所述第二管芯进行结合。

7.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供第一管芯，其中所述第一管芯包括第一衬底、第一内连结构及第一有效焊盘，所述第一内连结构位于所述第一衬底之上，所述第一有效焊盘设置在所述第一内连结构之上且电连接到所述第一内连结构；

在所述第一管芯之上形成第一结合介电层，以覆盖所述第一管芯；

使用单次移除工艺形成分别穿透所述结合介电层的通孔洞及至少一个虚设通孔洞；

在所述通孔洞及所述至少一个虚设通孔洞中分别形成第一有效结合通孔及至少一个第一虚设结合通孔，其中所述第一有效结合通孔电连接到所述第一内连结构，且所述至少一个第一虚设结合通孔是电浮置的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述通孔洞及所述至少一个虚设通孔洞还包括：

在所述第一结合介电层之上形成掩模层，其中所述掩模层具有多个开口以暴露出所述第一结合介电层的一些部分；以及

使用所述掩模层作为掩模，通过所述单次移除工艺部分地移除所述第一结合介电层以同时形成所述通孔洞及所述至少一个虚设通孔洞。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一有效结合通孔与所述至少一个第一虚设结合通孔是同时形成的。

10.一种半导体结构，包括：

第一管芯，包括位于所述第一管芯上的第一结合介电层以及位于所述第一结合介电层中的第一有效结合通孔；以及

第二管芯，包括位于所述第二管芯上的第二结合介电层以及位于所述第二结合介电层中的第二有效结合通孔，其中通过将所述第一有效结合通孔与所述第二有效结合通孔结合在一起以及将所述第一结合介电层与所述第二结合介电层结合在一起来对所述第一管芯与所述第二管芯进行结合，所述第一有效结合通孔穿透所述第一结合介电层，且所述第一有效结合通孔具有从所述第一有效结合通孔的顶部到底部的连续倾斜的侧壁。