[发明专利]MOSFET测试装置在审
| 申请号： | 201910765154.2 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110531241A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨炜光 | 申请（专利权）人： | 西安易恩电气科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 61225 西安毅联专利代理有限公司 | 代理人： | 师玮<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高陵区融*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压小信号 电压器 放大 被测元件 测试电路 电压信号 控制板 控制继电器 测试 参数信息 测试装置 监测单元 脉冲信号 输出控制 电连接 发射极 功率源 集电极 变电 变压器 监测 | ||
【权利要求书】：
1.MOSFET测试装置，其特征在于，包括：
控制板，用于控制继电器给各功率源输出控制信号；
电压器，用于产生±35V或±65V电压信号；
脉冲变压器，与MOSFET的发射极和集电极电连接，用于对所述电压器产生的电压信号层层放大，使其放大成两路高额电压信号；
监测单元，通过测试电路监测MOSFET的参数信息。
2.如权利要求1所述的MOSFET测试装置，其特征在于，所述测试电路包括：开关S1-开关S4、电阻R1-电阻R3、电压表，开关S1串接电阻R1后连接在MOSFET的集极和发射极之间，MOSFET的集电极和发射极之间连接有依序串接的电阻R3、开关S4、电阻R2、开关S2，MOSFET的集极和发射极之间还连接一串接的开关S3和可调电源。
3.如权利要求1或2所述的MOSFET测试装置，其特征在于，所述脉冲变压器的一端与被测器件的集电极连接，所述脉变变压器的另一端与被测器件的发射极连接。
4.如权利要求1所述的MOSFET测试装置，其特征在于，所述脉冲变压器放大信号的过程是：通过电流表读取Ib和IC，计算出放大倍数，使电压信号放大成不超过2000V的高额电压信号。
5.根据权利要求1所述的MOSFET测试装置，其特征在于，所述继电器为水银继电器。
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