[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板的制作方法包括：提供基底，基底包括显示区域以及位于显示区域周边的非显示区域；在基底上形成无机膜组层；在无机膜组层上制作开口，并形成图案化的源漏极层，开口位于非显示区域，源漏极层不覆盖且不填充开口；在无机膜组层上形成有机平坦层，有机平坦层覆盖源漏极层，且填充并覆盖开口。通过这种方式，在位于非显示区域的无机膜组层上制作开口，并在后续平坦层制作工艺中填充开口，减少了采用有机材料填充开口的工艺，进而节省了该工艺的掩膜版，有利于降低成本。

【技术领域】

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

【背景技术】

有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)面板因其高对比度、广色域、低功耗、可折叠等特性，逐渐成为新一代显示技术。

目前，柔性AMOLED的阵列基板制程包括10～12道工艺，比刚性AMOLED的阵列基板制程多出2～3道工艺。其中，这多出的工艺主要是对位于非显示弯折区上的应力较差、以及柔韧性不好的无机膜层进行刻蚀挖孔，并采用柔韧性较好的有机材料填充，以提高非显示弯折区的弯曲性能。

但是，上述柔性AMOLED的阵列基板制程存在工艺步骤多、以及成本高的问题。

【发明内容】

本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，以减少阵列基板的制程工艺，并降低成本。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括：提供基底，基底包括显示区域以及位于显示区域周边的非显示区域；在基底上形成无机膜组层；在无机膜组层上制作开口，并形成图案化的源漏极层，开口位于非显示区域，源漏极层不覆盖且不填充开口；在无机膜组层上形成有机平坦层，有机平坦层覆盖源漏极层，且填充并覆盖开口。

其中，在无机膜组层上制作开口，并形成图案化的源漏极层步骤，具体包括：在无机膜组层上形成图案化的源漏极层；在无机膜组层未被源漏极层覆盖的区域上制作开口，开口位于非显示区域。

其中，开口包括在基底上层叠连通的第一孔和第二孔，在无机膜组层上制作开口的步骤，具体包括：通过曝光、刻蚀，在无机膜组层上制作具有第一预设深度的第一孔；通过曝光、刻蚀，经由第一孔，沿靠近基底的方向在无机膜组层上制作具有第二预设深度的第二孔，第二预设深度与第一预设深度之和等于无机膜组层的厚度。

其中，无机膜组层包括依次远离基底的缓冲层、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、以及层间介质层，在基底上形成无机膜组层的步骤，具体包括：在基底上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上沉积第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上沉积层间介质层。

其中，在基底上沉积缓冲层的步骤之后，还包括：在缓冲层上形成低温多晶硅层，低温多晶硅层位于显示区域，且第一栅绝缘层覆盖低温多晶硅层；在缓冲层上沉积第一栅绝缘层的步骤之后，还包括：在第一栅绝缘层上形成第一金属层，第一金属层位于显示区域，且第二栅绝缘层覆盖第一金属层；在第一栅绝缘层上沉积第二栅绝缘层的步骤之后，还包括：在第二栅绝缘层上形成第二金属层，第二金属层位于显示区域，且层间介质层覆盖第二金属层。

为了解决上述问题，本申请实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：基底，基底包括显示区域以及位于显示区域周边的非显示区域；位于基底上的无机膜组层，无机膜组层上开设有开口，开口位于非显示区域；位于无机膜组层上的图案化的源漏极层，源漏极层不覆盖且不填充开口；位于无机膜层上的有机平坦层，有机平坦层覆盖源漏极层，且填充并覆盖开口。

其中，非显示区域包括弯折区以及位于弯折区侧边的非弯折区，开口位于弯折区，且为多个。

其中，多个开口在弯折区上呈阵列分布。