[发明专利]一种紫外透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外透明导电薄膜，其特征在于，包括In₂O₃层、ZnO层和SnO层，In₂O₃层的厚度为10～15nm，ZnO层的厚度为20～40nm，SnO层的厚度为30～40nm，波长为300～800nm的光的平均透射率高于90％。

2.如权利要求1所述的紫外透明导电薄膜，其特征在于，In₂O₃层的厚度为10～13nm，ZnO层的厚度为25～35nm，SnO层的厚度为32～38nm，波长为300～500nm的光的平均透射率高于90％。

3.如权利要求1或2任一项所述的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1)对作为生长衬底材料的外延片的表面进行预处理；

S2)在外延片上预沉积In的氧化物，形成In₂O₃层；

S3)利用层状生长模式进行垒晶，在In₂O₃层上形成致密、表面平滑的ZnO层；

S4)在ZnO层上形成SnO层。

4.如权利要求3所述的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2)中，采用直流磁控溅射方法形成In₂O₃层，溅射气体氩气压强0.5～1.5Pa，射频溅射功率50～100W，直流溅射电流10～30mA，直流溅射电压200～400V。

5.如权利要求3所述的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3)中，采用MOCVD形成ZnO层，生长压力为300～600torr，生长温度为700～1000℃，Zn源的通入量为2.9E-5～1.5E-3摩尔/分钟，O₂的通入量为5.8E-3～1.2E-2摩尔/分钟。

6.如权利要求5所述的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，在完成步骤S3)之后，在步骤S4)之前，还包括以下步骤：

对ZnO层进行退火处理，在Ar、He气氛下，温度在700～900℃下退化5～20分钟。

7.如权利要求3所述的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S4)中，采用直流磁控溅射方法形成SnO层，溅射气体氩气压强0.5～1.5Pa，射频溅射功率50～100W，直流溅射电流10～30mA，直流溅射电压200～400V。