[发明专利]一种表面等离激元超材料的制备方法

权利要求书

1.一种表面等离激元超材料的制备方法，其步骤包括：

(1)在衬底材料上物理气相沉积或化学气相沉积导电薄膜，厚度范围为5-20纳米之间，作为电镀种子层；

(2)旋涂光刻胶，并通过曝光和显影制备空气介质层图形,所述空气介质层图形为圆形、方形、十字型、椭圆或三角，其关键尺寸在100纳米到1微米,所述光刻胶的厚度为10纳米-1微米；

(3)进行电镀，采用方波脉冲法电镀，电压为1V--100V、占空比为10％--90％、电流为0.001A—1A,填充上述光刻图形；接着再继续电镀，同样采用方波脉冲法电镀，电压为1V--100V、占空比为10％--90％、电流为0.001A—1A，以填充后的光刻图形为种子层横向生长金属薄膜，形成大面积金属薄膜，厚度为100纳米--10微米；

(4)浸泡于可溶解光刻胶的溶液中，去除残余光刻胶；形成金属-空气介质层-金属结构的腔耦合共振表面等离激元超材料。

2.如权利要求1所述的表面等离激元超材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述衬底材料为玻璃或石英。

3.如权利要求1所述的表面等离激元超材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的导电薄膜是氧化铟锡或金属薄膜。

4.如权利要求3所述的表面等离激元超材料的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜为金、银或铜，需要添加钛或铬薄膜作为粘合层。

5.如权利要求1所述的表面等离激元超材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的光刻方法是电子束曝光或深紫外光刻技术。