[发明专利]形成氧化镓器件隔离的方法以及氧化镓隔离器件

权利要求书

1.一种形成氧化镓器件隔离的方法，其中包括：

在氧化镓材料涂覆光刻胶，所述氧化镓材料包括氧化镓衬底和其上的N型掺杂氧化镓；

进行光刻显影工艺，部分区域暴露出氧化镓材料；

实施氮离子注入工艺，注入深度为氧化镓衬底至N型掺杂氧化镓的界面处，以形成器件隔离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中还包括：

在氮离子注入工艺后，去除光刻胶。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮离子注入工艺包括控制氮离子浓度，进行多次不同能量的注入。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮离子浓度与N型掺杂氧化镓的掺杂浓度正相关。

5.根据权利要求1所述的方法，所述进行多次不同能量注入具体包括：多次离子注入的能量逐步提高，分别为30keV，160keV，360keV和480keV。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述N型掺杂氧化镓的厚度为150nm-300nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该氧化镓材料为单晶氧化镓材料，所述N型氧化镓半导体掺杂离子为Si和Sn，掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3-1×10¹⁹cm^-3。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述氮离子注入工艺中离子注入的厚度为贯穿所述N型掺杂氧化镓的厚度方向。

9.一种依据权利要求1所述方法制备的氧化镓隔离器件。