[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一字线；

第二字线；

位线；以及

反熔丝单元，包括：

第一读取器件，包括：

第一栅极，耦合到所述第一字线；

第一源极/漏极区，耦合到所述位线；和

第二源极/漏极区，其中，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区位于所述第一栅极的相对侧上；

第一编程器件，包括：

第二栅极；和

第三源极/漏极区，耦合到所述第二源极/漏极区；和

第四源极/漏极区，其中，所述第三源极/漏极区和所述第四源极/漏极区位于所述第二栅极的相对侧上；以及

伪器件，包括：

第三栅极；

第五源极/漏极区，耦合到所述第四源极/漏极区；和

第六源极/漏极区，其中，所述第五源极/漏极区和所述第六源极/漏极区位于所述第三栅极的相对侧上，

多个金属段，与所述位线分隔开，其中，所述多个金属段和所述位线设置在同一层中，

其中，所述第一字线通过所述多个金属段中的第一金属段电耦合到所述第一栅极，所述第二字线通过所述多个金属段中的第二金属段电耦合到所述第二栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二编程器件，包括：

第四栅极；和

第七源极/漏极区，位于所述第四栅极的一侧上，

其中，所述第一源极/漏极区至所述第七源极/漏极区包括在连续有源区中，所述连续有源区包括半导体材料。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述伪器件还包括：

第五栅极；

第八源极/漏极区，耦合到所述第六源极/漏极区；以及

第九源极/漏极区，耦合到所述第七源极/漏极区，其中，所述第八源极/漏极区和所述第九源极/漏极区位于所述第五栅极的相对侧上。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第三字线；

第二编程器件，其中，所述伪器件耦合在所述第一编程器件和所述第二编程器件之间，并且所述第二编程器件包括：

第四栅极；

第七源极/漏极区；和

第八源极/漏极区，其中，所述第七源极/漏极区和所述第八源极/漏极区位于所述第四栅极的相对侧上；以及

第二读取器件，包括：

第五栅极，耦合到所述第三字线；

第九源极/漏极区，耦合到所述第八源极/漏极区；和

第十源极/漏极区，耦合到所述位线，其中，所述第九源极/漏极区和所述第十源极/漏极区位于所述第五栅极的相对侧上。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中，所述第二字线的宽度不同于所述第一字线的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第二字线的宽度大于所述第一字线的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一读取器件和所述第一编程器件的每个用一个或多个等效晶体管实现。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

电压线，耦合到所述第三栅极并且配置为接收参考电压。