[发明专利]加成固化型有机硅组合物及半导体装置

说明书

本发明为一种加成固化型有机硅组合物，其特征在于，其含有：(A)下述平均单元式(1)所示的有机聚硅氧烷；(B)下述平均单元式(2)所示的有机聚硅氧烷；(C)下述平均组成式(3)所示的、1分子中具有至少2个Si‑H键的有机氢聚硅氧烷；及(D)氢化硅烷化反应催化剂。由此，本发明提供一种供给固化快、透光率高、耐高温性优异的固化物的加成固化型有机硅组合物以及使用了该组合物的半导体装置。(Rsupgt;1/supgt;SiOsubgt;3/2/subgt;)subgt;a1/subgt;(Rsupgt;1/supgt;subgt;3/subgt;SiOsubgt;1/2/subgt;)subgt;b1/subgt;(Xsupgt;1/supgt;Osubgt;1/2/subgt;)subgt;c1/subgt;···(1)，(Rsupgt;2/supgt;subgt;2/subgt;SiO)subgt;a2/subgt;(Rsupgt;2/supgt;subgt;3/subgt;SiOsubgt;1/2/subgt;)subgt;b2/subgt;···(2)，Rsupgt;3/supgt;subgt;d/subgt;Hsubgt;e/subgt;SiOsubgt;[(4‑d‑e)/2]/subgt;···(3)。

技术领域

本发明涉及加成固化型有机硅组合物以及半导体元件被该组合物的固化物覆盖的半导体装置。

背景技术

通过氢化硅烷化反应而固化的加成固化型有机硅组合物被用作光电藕合器、发光二极管、固态成像元件等光学用半导体装置中的半导体元件的保护性涂布剂。这样的半导体元件的保护性涂布剂的硬度或透明性有时因为由半导体元件产生的热或光而发生变化。为了抑制该变化，以往通过将Q单元(SiO₂)导入分子内(专利文献1～4)，进一步通过将软链段导入组成中来进行应对(专利文献5)。然而，这种应对方法不能应对永久性材料的硬度变化。此外，由于周边元件使用了不耐热的树脂，因此在以20～80℃等低温使其固化时，通常增加固化催化剂来进行应对，因此具有不经济的缺点。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-252419号公报

专利文献2：日本特开2011-252175号公报

专利文献3：日本特开2013-067683号公报

专利文献4：日本特开2009-052038号公报

专利文献5：日本特开2007-63538号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

本发明鉴于上述情况而成，其目的在于提供一种供给固化快、透光率高、耐高温性优异的固化物的加成固化型有机硅组合物，以及使用了该组合物的半导体装置。

解决技术问题的技术手段

为了解决上述技术问题，本发明提供一种加成固化型有机硅组合物，其特征在于，其包含：

(A)下述平均单元式(1)所示的有机聚硅氧烷，

(R¹SiO_3/2)_a1(R¹₃SiO_1/2)_b1(X¹O_1/2)_c1···(1)

式中，R¹为可以相同也可以不同的取代或未取代的脂肪族一价烃基，全部R¹中的0.1～50％为烯基，X¹为氢原子或烷基，a1、b1、c1为满足0.1≤a1≤1、0≤b1≤0.75、0≤c1≤0.1、且a1+b1+c1＝1的数；