[发明专利]瞬态增强型LDO电路、CMOS驱动器电源电路及激光器系统有效
申请号: | 201910769294.7 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN110794907B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 刘建峰;向少卿 | 申请(专利权)人: | 上海禾赛科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;G05F1/56 |
代理公司: | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 郝文博;韩炜 |
地址: | 201821 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 瞬态 增强 ldo 电路 cmos 驱动器 电源 激光器 系统 | ||
1.一种用于激光雷达的瞬态增强型LDO电路,包括:
放大器,所述放大器的其中一个输入端可接收参考电压;
功率调整管,与所述放大器的输出端耦接,并通过所述输出端输出所述瞬态增强型LDO电路的输出电压至耦接于激光器的发光通路的开关管,以驱动激光器发光;
分压器,与所述功率调整管耦接,将所述输出电压耦合到所述放大器的另一个输入端;和
灌电流吸收电路,所述灌电流吸收电路包括比较器和由所述比较器驱动的下拉NMOS管,其中所述比较器的一个输入端与所述放大器的中间级耦接,接收反映所述输出电压的波动的输入信号,所述下拉NMOS管与所述功率调整管的输出端耦接,适于根据所述输出电压的波动,导通并注入或抽拉对所述LDO电路的电流;
所述瞬态增强型LDO电路还包括第一电容和第三电阻,所述第三电阻的一端通过所述第一电容接地,所述第三电阻的另一端与所述分压器耦接,其中所述第一电容用于保证所述瞬态增强型LDO电路可以提供瞬态的大电荷,所述第一电容和第三电阻用于对所述放大器输出端进行相位补偿。
2.根据权利要求1所述的瞬态增强型LDO电路,其中所述比较器的另一个输入端接收与反映所述输出电压的波动的输入信号相对应的阈值信号,所述下拉NMOS管耦接到所述功率调整管的输出端及所述比较器的输出端,其中当所述输出电压波动幅度超过所述阈值信号对应电压幅度时,所述下拉NMOS管导通并吸收对所述LDO电路的灌电流;当所述输出电压波动幅度小于等于所述阈值信号对应电压幅度时,所述下拉NMOS管关闭。
3.根据权利要求2所述的瞬态增强型LDO电路,其中,所述比较器是电流比较器,所述比较器的一个输入端连接到所述放大器的中间级,以接收反映所述输出电压的波动的电流,所述另一个输入端连接到参考电流信号,输出端连接到所述下拉NMOS管的栅极。
4.根据权利要求2所述的瞬态增强型LDO电路,其中,所述放大器的反相输入端用于接收所述参考电压,所述放大器的同相输入端通过所述分压器耦合到所述功率调整管的输出端,所述放大器的输出端连接至所述功率调整管的栅极;
所述分压器为电阻分压器,包括串联的第一电阻和第二电阻,所述功率调整管的源极用于连接电压源(VDD),所述功率调整管的漏极输出所述输出电压,并通过所述分压器接地;
所述下拉NMOS管的漏极耦接至所述功率调整管的漏极,所述下拉NMOS管的源极接地。
5.根据权利要求1或2所述的瞬态增强型LDO电路,其中所述放大器(A1)采用折叠式共源共栅结构。
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