[发明专利]薄膜晶体管制备方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管制备方法包括：

提供一基板；

在所述基板上依次沉积形成金属栅极层、栅极阻挡层和有源层，所述有源层为铟镓锌氧化物材料沉积形成；

在所述有源层上均匀涂布金属纳米粒子溶液，形成金属纳米粒子层；

制得具有图形的有源层，并在所述有源层旁所述金属纳米粒子层之上制得具有图形的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述在所述基板上依次沉积形成金属栅极层、栅极阻挡层和有源层，包括：

在所述基板上沉积形成金属栅极层，并制得具有图形的金属栅极层；

在所述金属栅极层之上沉积形成栅极阻挡层；

在所述栅极阻挡层之上沉积铟镓锌氧化物作为有源层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述在所述基板上沉积形成金属栅极层，并制得具有图形的金属栅极层，包括：

用物理气相沉积工艺沉积形成金属栅极层，利用黄光工艺和刻蚀工艺制得具有图形的金属栅极层。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述在所述金属栅极层之上沉积形成栅极阻挡层，包括：

采用等离子体增强化学气相沉积法工艺沉积SiO₂或Al₂O₃形成栅极阻挡层。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述在所述有源层上涂布金属纳米粒子溶液，形成金属纳米粒子层，包括：

在所述有源层上涂布Ag、Al或Ni金属纳米粒子溶液，待所述有源层上表面均匀涂布干燥后进行退火处理，形成金属纳米粒子层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度300-500℃，退火时长为45min～75min。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在所述有源层旁所述金属纳米粒子层之上沉积形成源极和漏极，并制得具有图形的源极和漏极，包括：

利用物理气相沉积工艺在所述有源层旁所述金属纳米粒子层之上沉积形成源极和漏极，利用黄光工艺和刻蚀工艺制得具有图形的源极和漏极。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

基板；

形成于所述基板之上的金属栅极层；

形成于所述金属栅极层之上的栅极阻挡层；

形成于所述栅极阻挡层之上的有源层；

形成所述有源层之上的金属纳米粒子层；

形成于所述有源层周围及所述金属纳米粒子层之上的具有图形的源极和漏极。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为IGZO材料。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属纳米粒子层为Ag、Al或Ni金属纳米粒子材料。