[发明专利]一种双沟结构的脊上开孔方法有效
| 申请号： | 201910769949.0 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110491777B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 邓仁亮;欧祥勇;薛正群;李敬波;杨重英;吴林福生;高家敏;郭智勇;苏辉 | 申请（专利权）人： | 福州中科光芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311;G03F7/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 黄诗锦;蔡学俊 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 脊上开孔 方法 | ||
1.一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤S1：在具有双沟形貌结构的晶元上生长二氧化硅钝化层；
步骤S2：在二氧化硅钝化层上匀胶负性光刻胶两次，进行前烘；
步骤S3：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S2中前烘后的晶元对位曝光预设时间；
步骤S4：将步骤S3中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；
步骤S5：将步骤S4中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；
步骤S6：将步骤S5中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；
步骤S7：将步骤S6中后烘后的晶元匀胶负性光刻胶一次，进行前烘；
步骤S8：准备好开孔所需要的光刻版，并且将步骤S7中前烘后的晶元对位曝光预设时间；
步骤S9：将步骤S8中对位曝光后的晶元进行曝光后烘预设时间；
步骤S10：将步骤S9中曝光后烘后的晶元泛曝光预设时间，然后进行显影；
步骤S11：将步骤S10中显影后的晶元在显微镜下检验合格后，后烘预设时间；
步骤S12：将步骤S11中后烘后的晶元送到RIE刻蚀机进行刻蚀；
步骤S13：将刻蚀后的晶元进行去胶清洗。
2.根据权利要求1所述的一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：在步骤S1中，二氧化硅钝化层的厚度为4000Å。
3.根据权利要求1所述的一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：在步骤S3和步骤S8中，对位曝光的时间为3s。
4.根据权利要求1所述的一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：在步骤S4和步骤S9中，曝光后烘的时间为60s。
5.根据权利要求1所述的一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：在步骤S5和S10中，泛曝光的时间为60s。
6.根据权利要求1所述的一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：在步骤S6和步骤S11中，后烘时间为5min。
7.根据权利要求1所述的一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：在步骤S12中，通入四氟化碳气体进行刻蚀，将电流注入区域制备出来。
8.根据权利要求1所述的一种双沟结构的脊上开孔方法，其特征在于：在步骤S2和步骤S7中，负性光刻胶采用AZ5214。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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