[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201910770657.9 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN110943006A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 高桥朋宏;武知圭;佐佐木光敏;秋山刚志 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
处理槽,蓄存用于处理基板的处理液;
基板保持部,在所述处理槽的所述处理液内保持所述基板;
流体供给部,向所述处理槽供给流体;以及
控制部,控制所述流体供给部,
所述控制部在从对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽开始所述流体的供给,直至对蓄存有使所述基板浸渍的处理液的所述处理槽结束所述流体的供给为止的期间,控制所述流体供给部,以使所述流体供给部变更所述流体的供给。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中
所述流体供给部包含:
第一流体供给部,配置于所述处理槽内的第一位置,向所述处理槽供给流体;以及
第二流体供给部,配置于所述处理槽内的第二位置,在与所述第一流体供给部供给所述流体的期间不同的期间,向所述处理槽供给流体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中
所述控制部控制所述第一流体供给部及所述第二流体供给部,以切换所述第一流体供给部对所述流体的供给以及所述第二流体供给部对所述流体的供给,而将所述第一流体供给部的所述流体及所述第二流体供给部的所述流体中的至少一者供给至所述处理槽。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中
所述第一流体供给部向所述处理槽供给气体来作为所述流体,
所述第二流体供给部向所述处理槽供给气体来作为所述流体。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中
所述第一流体供给部具有多个流体供给管,
所述第一流体供给部的所述多个流体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中
所述第二流体供给部具有多个流体供给管,
所述第二流体供给部的所述多个流体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,还包括:
液体供给部,在所述处理槽内,配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方,向所述处理槽供给所述处理液。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中
所述液体供给部具有多个液体供给管,
所述液体供给部的所述多个液体供给管相对于所述基板的铅垂中心轴而对称地配置。
9.根据权利要求2所述的基板处理装置,还包括:
液体供给部,在所述处理槽内,配置于由所述基板保持部所保持的所述基板的下方,向所述处理槽供给所述处理液,
所述液体供给部包含第一液体供给管及第二液体供给管,
所述第一流体供给部具有多个流体供给管,
所述第一流体供给部的所述多个流体供给管中的至少一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第一液体供给管之间,
所述第一流体供给部的所述多个流体供给管中的至少另一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第二液体供给管之间。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中
所述第二流体供给部具有多个流体供给管,
所述第二流体供给部的所述多个流体供给管中的至少一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第一液体供给管之间,
所述第二流体供给部的所述多个流体供给管中的至少另一个流体供给管位于所述基板的铅垂中心轴与所述第二液体供给管之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造