[发明专利]基于核壳纳米线的柔性偏振光探测器及制备方法

权利要求书

1.一种基于核壳纳米线的柔性偏振光探测器，包括：

柔性衬底；

核壳纳米线，其位于柔性衬底上，作为柔性偏振光探测器的有源区，所述核壳纳米线的核部分采用的材料包括三碘化锑；核壳纳米线的壳部分采用的材料包括三氧化二锑；以及

源电极和漏电极，两者均设置在柔性衬底上且分别设置在核壳纳米线的两端。

2.根据权利要求1所述的柔性偏振光探测器，其特征在于，

所述柔性偏振光探测器的可测试波段包括可见光波段和近紫外光波段。

3.根据权利要求1所述的柔性偏振光探测器，其特征在于，

所述柔性偏振光探测器探测的光为线偏振光。

4.根据权利要求1所述的柔性偏振光探测器，其特征在于，

所述核壳纳米线核部分的材料具有光吸收各向异性。

5.根据权利要求1所述的柔性偏振光探测器，其特征在于，

所述核壳纳米线为一维异质结构。

6.根据权利要求1所述的柔性偏振光探测器，其特征在于，

所述柔性偏振光探测器的偏振探测灵敏度通过改变核部分和壳部分的厚度来调节。

7.根据权利要求1所述的柔性偏振光探测器，其特征在于，

所述柔性衬底采用的材料包括PET或PEN；

所述源电极和漏电极材料均包括金或铬。

8.一种如权利要求1-7任一项所述柔性偏振光探测器的制备方法，包括如下步骤：

在柔性衬底上制备半导体核壳纳米线；

在柔性衬底上制备源电极和漏电极；

对上述步骤形成的整体结构进行封装，得到所述柔性偏振光探测器。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

所述的源电极和漏电极分别设置在核壳纳米线的两端。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

对所述整体结构进行封装的封装方法包括：采用铝丝焊线机将源电极和漏电极引出。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

在所述在柔性衬底上制备源电极和漏电极，具体包括：

在所述柔性衬底上，旋涂掩模材料；

设计电极图版，在所述的掩模材料上刻蚀出所述源电极和漏电极的电极区域；

在所述电极区域上蒸镀所述源电极和漏电极；

将所述的掩模材料溶解，得到所述源电极和漏电极。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，

所述掩模采用的材料包括PMMA。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，

所述的源电极和漏电极的电极区域是采用电子束刻蚀的方法刻蚀的。

14.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，

所述的源电极和漏电极采用磁控溅射方法沉积。

15.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，

依次用丙酮、乙醇和去离子水对所述掩模材料进行清洗。