[发明专利]一种半导体发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，在衬底上顺序设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，在n型掺杂GaN层上分别设置n型电极、绝缘介质掩膜层、蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层，在所述蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层表面分别设置p型电极；其特征在于：所述蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层间隔地分布在绝缘介质掩膜层之间；所述蓝光LED发光结构层自下而上包括：InGaN/GaN蓝光多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层和透明导电层；所述绿光LED发光结构层自下而上包括：InGaN/GaN绿光多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层和透明导电层；所述红光OLED发光结构层自下而上包括：第一透明导电层、电子传输层、红光有机发光层、空穴传输层和第二透明导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述蓝光LED发光结构层的宽度为1～100μm。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述绿光LED发光结构层的宽度为1～100μm。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：所述红光OLED发光结构层的宽度为1～100μm。

5.如权利要求1所述半导体发光器件的制作方法，在衬底的同侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层；其特征在于还包括以下步骤：

1）在所述n型掺杂GaN层上第一次沉积绝缘介质掩膜层，并通过刻蚀方法，在所述绝缘介质掩膜层中刻蚀出蓝光LED发光结构层生长区域，刻蚀深度直至露出所述n型掺杂GaN层；

2）在所述蓝光LED发光结构层生长区域内依次外延生长InGaN/GaN蓝光多量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层；

3）在保留的绝缘介质掩膜层和蓝光LED发光结构层的p型掺杂GaN层表面第二次沉积绝缘介质掩膜层，并通过刻蚀方法，在所述绝缘介质掩膜层中刻蚀出绿光LED发光结构层生长区域，刻蚀深度直至露出所述n型掺杂GaN层；

4）在所述绿光LED发光结构层生长区域内依次外延生长InGaN/GaN绿光多量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层；

5）在保留的绝缘介质掩膜层和绿光LED发光结构层的p型掺杂GaN层表面第三次沉积绝缘介质掩膜层，并通过刻蚀方法，在所述绝缘介质掩膜层中刻蚀出红光OLED发光结构层生长区域，刻蚀深度直至露出所述n型掺杂GaN层；

6）在所述红光OLED发光结构层生长区域内依次沉积透明导电层、电子传输层、红光有机发光层和空穴传输层；

7）对绝缘介质掩膜层进行刻蚀，直至露出所述蓝光LED发光结构层中的p型掺杂GaN层、绿光LED发光结构层中的p型掺杂GaN层和红光OLED发光结构层中的空穴传输层；

8）在所述蓝光LED发光结构层中的p型掺杂GaN层、绿光LED发光结构层中的p型掺杂GaN层和红光OLED发光结构层中的空穴传输层上沉积透明导电层；

9）通过刻蚀方法，在所述绝缘介质掩膜层中刻蚀出n型电极制作区域，刻蚀深度直至露出所述n型掺杂GaN层；

10）在所述蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层的透明导电层上分别制作p型电极，在所述n型电极制作区域的n型掺杂GaN层上制作n型电极。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于：所述绝缘介质掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝中的任意一种。

7.根据权利要求5或6所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于：刻蚀出的蓝光LED发光结构层生长区域的宽度为1～100μm。

8.根据权利要求5或6所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于：刻蚀出的绿光LED发光结构层生长区域的宽度为1～100μm。

9.根据权利要求5或6所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于：刻蚀出的红光OLED发光结构层生长区域的宽度为1～100μm。