[发明专利]一种可抛型汞离子传感器的制备方法及使用方法

权利要求书

1.一种可抛型汞离子传感器的制备方法，其特征在于，步骤为：

第一步：氧化铟锡玻璃ITO电极的切割和清洗：将ITO导电玻璃用玻璃刀裁剪成12×20mm的薄片，接着对ITO进行清洗，用丙酮、乙醇和双蒸水分别进行超声水浴10分钟，洗好后放进烘箱进行烘干备用;

第二步：用打孔器在透明胶带上打出直径为4mm的孔，然后贴到烘好的ITO玻璃上，用来固定电极反应面积，制备得到ITO工作电极；

第三步：滴加5.0 μL的0.5 mg/mL的氧化石墨烯GO溶液在ITO工作电极表面孔内，红外灯下烘干，形成GO/ITO电极；

第四步：用银/氯化银电极做参比电极、饱和甘汞电极作为对电极，将GO/ITO电极作为工作电极，在含有1.0 mg/mL氯金酸和1.0 mg/mL氯铂酸的溶液里，进行循环伏安法电化学沉积金-铂合金，制备成氧化石墨烯-金-铂GO-Au-Pt纳米复合物，形成GO-Au-Pt/ITO电极；

第五步：将0.05 mmol 氯化甲基汞溶解于200.0 µL含有浓度为1.0 mol/L NaOH的甲醇溶液中，加入0.01 mmol/L的6-巯基烟酸5.0 mL，再与200.0 µL浓度为1.0 mg/mL卵白蛋白OVA混合后发生耦合，所得Hg²⁺-OVA作为包被抗原，用磷酸盐吐温缓冲液PBST清洗GO-Au-Pt/ITO电极，每次使用PBST 20.0 μL，清洗三次，

滴加10.0 μL的浓度为20.0 μg/mL Hg²⁺-OVA于GO-Au-Pt/ITO电极，在4℃的环境下进行孵育过夜，形成Hg²⁺- OVA/GO-Au-Pt/ITO电极；

第六步：滴加10.0 μL浓度为20.0 μg/mL的牛血清白蛋白BSA在Hg²⁺- OVA/GO-Au-Pt/ITO电极表面，在4℃的环境下培养30 min，封闭Hg²⁺- OVA/GO-Au-Pt/ITO电极表面非特异性的活性位点；

第七步：用PBST清洗第六步封闭后的Hg²⁺- OVA/GO-Au-Pt/ITO电极，每次使用PBST20.0 μL，清洗三次，

滴加5.0 μL的不同浓度Hg²⁺标准溶液和5.0 μL 浓度为20.0 μg/mL的抗Hg²⁺的多克隆抗体mAb在清洗后的Hg²⁺- OVA/GO-Au-Pt/ITO电极表面，并在4℃的环境下孵育30 min，再用PBST溶液清洗三次，每次使用PBST 20.0 μL，形成mAb/Hg²⁺- OVA/GO-Au-Pt/ITO电极；所述不同浓度Hg²⁺标准溶液浓度分别为1800.0、1500、1200.0、1000.0、500.0、100.0、10.0、5.0、0.5和0.1 ng/mL；

第八步：将10.0 μL辣根过氧化物酶标记的羊抗兔IgG即HRP-GaR IgG加入到1.0 mLPBS 7.0中摇匀后滴加10.0 μL在mAb/Hg²⁺- OVA/GO-Au-Pt/ITO电极表面，并在4℃的环境下培养30 min，然后用PBST溶液清洗三次，每次使用PBST 20.0 μL，制得HRP-GaR IgG/mAb/Hg²⁺-OVA/ GO-Au-Pt/ITO可抛型汞离子传感器。

2.根据权利要求1所述的一种可抛型汞离子传感器的制备方法，其特征在于：所述第四步中循环伏安法电化学沉积金-铂合金的具体的参数，电位范围：-0.35~0.7 V，扫描速度50mV/s，扫描段数：10段，采样间隔：0.001 V，静止时间：0 s，灵敏度：1×10^-4，然后室温下自然晾干。

3.根据权利要求1所述的一种可抛型汞离子传感器的制备方法，其特征在于：所述第七步中在竞争阶段，标准Hg²⁺溶液和包被抗原（Hg²⁺-OVA）争夺有限且固定量的mAb，随着Hg²⁺浓度的升高，结合在工作电极上的mAb抗体的量逐渐减少，最后检测的电信号和表面的免疫复合物量呈正比。