[发明专利]三维半导体存储器件

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，包括：

第一堆叠块，包括在基板上在第一方向上布置的第一堆叠；

第二堆叠块，包括在所述基板上在所述第一方向上布置的第二堆叠；和

分离结构，设置在所述基板上在所述第一堆叠块和所述第二堆叠块之间，所述分离结构包括第一模层和第二模层。

2.根据权利要求1所述的器件，

其中所述第一模层在垂直于所述基板的顶表面的垂直方向上堆叠，以及

其中每个所述第二模层插置于在所述垂直方向上彼此相邻的所述第一模层之间。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述分离结构包括：

模制结构，设置在所述第一堆叠块和所述第二堆叠块之间，所述模制结构包括所述第一模层和所述第二模层；

第一分离层，设置在所述基板上的所述第一堆叠块和所述模制结构之间；和

第二分离层，设置在所述基板上的所述第二堆叠块和所述模制结构之间。

4.根据权利要求3所述的器件，还包括：

层间绝缘层，设置在所述基板上以覆盖所述第一和第二堆叠块的侧表面以及所述分离结构的侧表面，

其中，所述模制结构的与所述层间绝缘层接触的端部设置为形成阶梯结构，和

其中所述第一分离层和所述第二分离层延伸到所述层间绝缘层中。

5.根据权利要求2所述的器件，其中所述分离结构还包括金属模层，所述金属模层设置于在所述垂直方向上彼此相邻的所述第一模层之间，并且通过插置在其间的每个所述第二模层彼此水平地间隔开。

6.根据权利要求1所述的器件，其中每个所述第一模层是氧化物层，每个所述第二模层是氮化物层。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一堆叠块和所述第二堆叠块中的每个具有侧表面，所述侧表面与所述分离结构相邻地定位并且是垂直于所述基板的顶表面的平坦表面。

8.根据权利要求1所述的器件，还包括：

第三堆叠块，包括在所述基板上在所述第一方向上布置的第三堆叠，所述第三堆叠块在与所述第一方向交叉的第二方向上面向所述第一堆叠块；和

第四堆叠块，包括在所述基板上在所述第一方向上布置的第四堆叠，所述第四堆叠块在所述第二方向上面向所述第二堆叠块，

其中，所述分离结构延伸到所述第一堆叠块和所述第三堆叠块之间、所述第二堆叠块和所述第四堆叠块之间、以及所述第三堆叠块和所述第四堆叠块之间的区域中。

9.一种三维半导体存储器件，包括：

第一堆叠和第二堆叠，设置在基板上以在第一方向上彼此间隔开并在与所述第一方向交叉的第二方向上纵向延伸；

第一位线，与所述第一堆叠交叉并在所述第一方向上纵向延伸；

第二位线，与所述第二堆叠交叉并在所述第一方向上纵向延伸，所述第一位线和所述第二位线在所述第一方向上彼此对准；和

分离结构，在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间，

其中，所述第一堆叠的与所述分离结构相邻的第一侧表面和所述第二堆叠的与所述分离结构相邻的第一侧表面垂直于所述基板的顶表面。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述第一位线和所述第二位线在所述第二方向上彼此间隔开。

11.根据权利要求9所述的器件，其中所述分离结构还包括：

在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间的模制结构；

在所述第一堆叠和所述模制结构之间的第一分离层；和

在所述第二堆叠和所述模制结构之间的第二分离层。