[发明专利]PERC电池清洗制绒工艺及系统在审
申请号: | 201910772505.2 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110416369A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 常纪鹏;张志郢;何凤琴;陈燕;杨超;王冬冬;张敏;李得银 | 申请(专利权)人: | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹 |
地址: | 810000 青*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纯水清洗 臭氧水 清洗制绒 清洗 电池 酸清洗 硅片 制绒 环境污染问题 工艺及系统 绒面反射率 分步处理 能耗减小 绒面表面 时间缩短 有效解决 白点 化学品 酸溶液 齿印 粗抛 烘干 提拉 脏污 制备 金字塔 | ||
本发明公开了一种PERC电池清洗制绒工艺,将硅片依次通过前酸清洗→纯水清洗→臭氧水清洗→粗抛→纯水清洗→臭氧水清洗→制绒→纯水清洗→臭氧水清洗→纯水清洗→后酸清洗→纯水清洗→慢提拉→烘干。本发明使用酸溶液、臭氧水、纯水进行分步处理,可以有效解决PERC电池制绒过程中硅片绒面表面出现白点、齿印、脏污清洗不干净的问题,同时制备的金字塔大小均匀,绒面反射率低。而且清洗制绒工序整体时间缩短,能耗减小,产量变大。同时化学品种类及使用量小,解决了部分环境污染问题。
技术领域
本发明涉及一种PERC电池清洗制绒工艺及系统,属于晶硅太阳电池制造技术领域。
背景技术
表面织构化是PERC电池制造工艺中的首要一环,是提高对入射光的吸收及对后续工艺匹配的重要工艺环节。对提升PERC电池的转换效率至关重要。目前产业化生产中对PERC电池的清洗制绒环节主要是利用化学湿法刻蚀。即利用酸碱等化学品的混合溶液对硅片进行清洗及碱的各项异性腐蚀对硅片进行刻蚀制绒。但是该清洗制绒方法存在以下缺点:例如硅片绒面表面出现白点、齿印、脏污清洗不干净等外观问题。同时绒面反射率较大,金字塔尺寸不均匀等性能问题。而且清洗制绒工序时间较长,化学品使用种类多、用量大等能耗及环境污染问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:解决了在PERC电池制绒过程中如何避免硅片绒面脏污的问题;如何使得制备的金字塔大小均匀,绒面反射率低的问题;如何减小清洗制绒工序整体时间以及减小使用化学品种类及使用量的问题。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是提供了一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,包括以下步骤:。
步骤(1)、将原始硅片放入到前酸洗槽进行前酸清洗处理;
步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(3)、在臭氧水洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行第一次臭氧水清洗处理;
步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理;
步骤(5)、将步骤(4)粗抛后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(6)、在臭氧水洗槽将步骤(5)粗抛后的硅片进行第二次臭氧水清洗处理;
步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)臭氧水清洗后的硅片进行制绒处理;
步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(9)、在臭氧水洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行第三次臭氧水清洗处理;
步骤(10)、将步骤(9)臭氧水清洗处理后的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到后酸洗槽进行后酸清洗处理;
步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(13)、将步骤(12)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水;
步骤(14)、将步骤(13)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。
优选地,所述的步骤(1)和步骤(11)中前酸清洗槽和后酸清洗槽内的溶液均为HF/HCL溶液;所述HF/HCL溶液中,HF体积浓度为5-10%,HCL体积浓度5-10%,其余为纯水;酸清洗的温度为20-30℃,酸清洗的时间为60-120S,同时进行循环鼓泡。
优选地,所述的步骤(3)、步骤(6)和步骤(9)中,臭氧水洗槽中的臭氧浓度为25-40ppm;温度为20-25℃;臭氧水清洗的时间为120-240S。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的