[发明专利]单晶硅制绒工艺及装置

权利要求书

1.一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)、将需要制绒的原始硅片放入到前酸洗槽进行前酸清洗；

步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(3)、在前清洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行表面预清洗处理；

步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)预清洗处理后的硅片进行粗抛处理；

步骤(5)、在碱清洗槽将步骤(4)粗抛后的硅片进行清洗处理；

步骤(6)、将步骤(5)碱清洗处理后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)纯水清洗后的硅片进行制绒处理；

步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(9)、在后清洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行表面后清洗处理；

步骤(10)、将步骤(9)表面后清洗的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到后酸洗槽进行后酸清洗处理；

步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗；

步骤(13)、将步骤(12)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水；

步骤(14)、将步骤(13)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。

2.如权利要求1所述的一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，所述的步骤(1)和步骤(11)中，前酸洗槽和后酸洗槽内的溶液为HF/HCL溶液；所述HF/HCL溶液中，HF的体积浓度为4-8％，HCL的体积浓度5-10％，其余为纯水；酸清洗温度为20-30℃，时间为60-120S，同时进行循环鼓泡。

3.如权利要求1所述的一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，所述的步骤(3)、步骤(5)和步骤(9)中，前清洗槽、碱洗槽和后清洗槽内的溶液为碱性溶液与H₂O₂的混合溶液；所述碱性溶液与H₂O₂的混合溶液中，碱性溶液的质量浓度为0.4-0.6％，H₂O₂的质量浓度为1.5-2.5％；碱性溶液为KOH或NaOH或NH₄OH；清洗的温度为60-65℃，时间为60-120S，同时进行循环鼓泡。

4.如权利要求1所述的一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，所述的步骤(4)中，粗抛槽内的溶液为KOH与第一添加剂的混合溶液或NaOH与第一添加剂的混合溶液；KOH或NaOH的质量浓度为1-2％，第一添加剂的体积浓度为0.3-0.5％；第一添加剂包括表面活性剂和去泡剂；粗抛槽内的温度为65-80℃，粗抛的时间为60-120S，同时进行循环鼓泡。

5.如权利要求1所述的一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，所述的步骤(7)中，制绒槽内的溶液为KOH与第二添加剂的混合溶液或NaOH与第二添加剂的混合溶液；KOH或NaOH的质量浓度为0.8-1％，第二添加剂的体积浓度为1-1.2％；第二添加剂包括表面活性剂、去泡剂及去污剂；制绒槽内的温度为85-95℃，制绒的时间为350-450S，同时进行循环鼓泡。

6.如权利要求1所述的一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，所述的步骤(13)中，慢提拉槽内设有纯水，慢提拉槽内的温度为60-80℃，预脱水的时间为30-60S。

7.如权利要求1所述的一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，所述的步骤(14)中，烘干槽内设有氮气，烘干槽内的温度为60-80℃，烘干的时间为180-360S。

8.如权利要求1所述的一种单晶硅制绒工艺，其特征在于，所述的步骤(2)、(6)、(8)、(10)、(12)中，纯水清洗的时间为60～120S，清洗的温度为20-25℃。

9.一种使用如权利要求1-8任意一项所述的单晶硅制绒工艺的装置，其特征在于，包括对原始硅片进行前酸清洗的前酸洗槽、对前酸清洗后的硅片进行第一次纯水清洗的第一纯水清洗槽、对第一次纯水清洗后的硅片进行表面预清洗处理的前清洗槽、对预清洗处理后的硅片进行粗抛处理的粗抛槽、对粗抛后的硅片进行碱清洗处理的碱清洗槽、对碱清洗处理后的硅片进行第二次纯水清洗的第二纯水清洗槽、对第一次纯水清洗后的硅片进行制绒处理的制绒槽、对制绒后的硅片进行第三次纯水清洗的第三纯水清洗槽、对第三次纯水清洗后的硅片进行表面后清洗处理的后清洗槽、对表面后清洗的硅片进行第四次纯水清洗的第四纯水清洗槽、对第四次纯水清洗后的硅片进行后酸清洗处理的后酸洗槽、对后酸清洗处理后的硅片进行第五次纯水清洗的第五纯水清洗槽、对第五次纯水清洗后的硅片进行预脱水的慢提拉槽、对预脱水后的硅片进行烘干处理的烘干槽。