[发明专利]清洗方法和清洗设备

权利要求书

1.一种清洗方法，其特征在于，采用的清洗设备包括用于承载晶片，且驱动所述晶片转动的承载装置，以及用于朝向所述晶片的正面和背面喷淋清洗液体和/或保护气体的喷淋装置，所述清洗方法包括以下步骤：

S1，使晶片旋转，向晶片正面喷淋能够去除所述晶片正面上的氧化膜的第一清洗液，同时向晶片背面喷淋超纯水；

S2，保持所述晶片旋转，并向所述晶片正面喷淋超纯水，同时在所述晶片的转速大于或等于预设转速值时，向所述晶片背面喷淋超纯水，以有利于加快所述第一清洗液从所述晶片正面脱离，减小所述第一清洗液在所述晶片正面上的残留量；在所述晶片的转速小于预设转速值时，向所述晶片背面喷淋保护气体，以有利于在所述晶片表面积累较厚的水薄膜，从而使所述晶片正面与空气隔离；

S3，保持所述晶片旋转，并向所述晶片正面喷淋能够减少晶片表面张力的第二清洗液，同时向所述晶片背面喷淋保护气体；

S4，保持所述晶片旋转，并同时向所述晶片正面和晶片背面喷淋保护气体。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述第一清洗液的流量与所述超纯水的流量相同。

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液包括氢氟酸溶液。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S2中，喷淋所述晶片正面的超纯水的流量与喷淋所述晶片背面的超纯水的流量相同。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述保护气体的流量的取值范围大于或等于50L/min；所述保护气体在管路出口处的温度的取值范围在50-60℃。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述保护气体包括氮气或者惰性气体。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述预设转速值为100rpm-500rpm。

8.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液包括异丙醇溶液。

9.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述保护气体的流量的取值范围大于或等于50L/min；所述保护气体在管路出口处的温度的取值范围在50-60℃。

10.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述晶片的转速的取值范围在10rpm-1000rpm。

11.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述步骤S4中，喷淋所述晶片正面的保护气体的流量的取值范围大于或等于150L/min；喷淋所述晶片背面的保护气体的流量的取值范围大于或等于50L/min；喷淋所述晶片背面的保护气体在管路出口处的温度的取值范围在50-60℃。

12.一种清洗设备，其特征在于，所述清洗设备为单片清洗设备，用于采用权利要求1-11任意一项的清洗方法对晶片表面进行清洗；所述单片清洗设备包括用于承载晶片，且驱动所述晶片转动的承载装置，以及用于朝向所述晶片的正面和背面喷淋清洗液体和/或保护气体的喷淋装置。