[发明专利]一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法

权利要求书

1.一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，包括以下步骤；

步骤1：选择表面沉积在透射电镜标准尺寸的碳支持膜铜载网上的锗锑碲晶体薄膜样品，选择的锗锑碲晶体薄膜包括六角相晶体薄膜和立方相晶体薄膜；

步骤2：采用等离子清洗技术对所述薄膜样品进行表面预处理，得到预处理电镜样品；

步骤3：将所述预处理电镜样品置于透射电镜中，并在预处理电镜样品中寻找表面平整、无碳沉积、无污染、无破损且厚度均匀的区域作为辐照区域；

步骤4：设置辐照参数，包括辐照电压、辐照强度、辐照范围和辐照时间，诱导材料发生逐步非晶化；

步骤5：原位观察并记录材料的非晶化结构演变过程，分析材料的非晶化相变机理，得到非晶相。

2.根据权利要求1所述的一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，所述的步骤1中碳支持膜铜载网直径为3mm；

所述步骤1中沉积的透射电镜样品锗锑碲晶体薄膜厚度小于100nm。

3.根据权利要求1所述的一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，所述的步骤2中预处理为选取氩气进行等离子清洗，设置清洗时间为3分钟。

4.根据权利要求1所述的一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，所述步骤4中在电镜中设置电子束的辐照电压为200keV-300keV、辐照强度为80pA/cm²～1×10¹³pA/cm²、辐照范围为40nm～300nm、辐照时间为20分钟～175分钟。

5.根据权利要求1所述的一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，所述步骤4中电子束辐照下诱导的逐步非晶化过程为固-固相变过程，相变过程中不会出现熔融态。

6.根据权利要求1所述的一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，所述步骤4中电子束辐照下诱导的逐步非晶化，如果辐照对象为六角相，相变过程包括了六角相到立方相的亚稳化和立方相到非晶相的非晶化两个过程。

7.根据权利要求1所述的一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，所述步骤4中电子束辐照下诱导的逐步非晶化，如果辐照对象为立方相，非晶化过程为立方相到非晶相的相变。

8.根据权利要求1所述的一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，所述步骤4中电子束辐照诱导相变的过程中，能够同时借助透射电镜原位观察并记录到晶体结构逐步无序化的演变过程。

9.根据权利要求1所述的一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，其特征在于，所述步骤5中原位观察并记录材料的非晶化结构演变包括了明场像、高分辨像、选区电子衍射图谱以及快速傅里叶变换图谱的观察和记录，并根据结果进行结构演变的分析。