[发明专利]用于预测半导体疲劳的方法和系统

权利要求书

1.一种确定半导体疲劳的方法，其特征在于，包括：

在控制器模块处接收来自半导体的一时间段内的一组性能特性，所述一组性能特性包括至少半导体温度；

通过所述控制器模块从所述一组性能特性生成半导体性能概况；

通过所述控制器模块将所述半导体性能概况与疲劳模型进行比较；

基于所述半导体概况与所述疲劳模型的所述比较，通过所述控制器模块预测所述半导体的使用寿命的终点；和

基于所预测的所述半导体的使用寿命的终点来安排与所述半导体相关的维护。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述控制器模块处接收一组半导体信息，所述一组半导体信息包括至少最小特征尺寸大小。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中基于所述半导体信息的至少一个子集，从一组疲劳模型中选择所述疲劳模型。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，其中至少基于所述最小特征尺寸大小选择所述疲劳模型。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述控制器模块处接收一组半导体信息，所述一组半导体信息进一步包括半导体安装位置。

6.根据权利要求1-3或5中任一项所述的方法，其特征在于，其中所述疲劳模型包括与以下方面的至少一个子集相关的数据：电迁移疲劳，时间依赖性介电击穿，热载流子注入效应，或偏置温度不稳定性。

7.根据权利要求1-3或5中任一项所述的方法，其特征在于，其中所述疲劳模型包括与以下方面中的每一个相关的数据：电迁移疲劳，时间依赖性介电击穿，热载流子注入效应，和偏置温度不稳定性。

8.根据权利要求1-3或5中任一项所述的方法，其特征在于，进一步包括：针对集成电路的一组半导体中的每个半导体重复所述接收，所述生成，所述比较和所述预测；选择所述一组半导体的预测的最早的使用寿命的终点；以及基于所述一组半导体的所述预测的最早的使用寿命的终点，安排与所述集成电路相关的维护。

9.一种用于预测半导体疲劳的系统，其特征在于，包括：

温度传感器，所述温度传感器与所述半导体相关联，所述温度传感器构造成提供一时间段内的所述半导体的操作温度；

存储器，所述存储器存储与所述半导体相关的半导体疲劳模型和部件数据，所述部件数据至少包括所述半导体的最小特征尺寸大小；和

控制器模块，所述控制器模块构造成：接收所述一时间段内的所述半导体的所述温度；产生半导体性能概况；将所述半导体性能概况与所述半导体疲劳模型进行比较；基于所述半导体概况与所述疲劳模型的所述比较来预测所述半导体的使用寿命的终点；并且基于所预测的所述半导体的使用寿命的终点来安排与所述半导体相关的维护。

10.一种估计半导体疲劳的方法，其特征在于，所述方法包括：

基于预定的半导体的安装位置预测一时间段内的一组性能特性，所述一组性能特性至少包括基于所述半导体的所述安装位置的预测的半导体温度；

在控制器模块处接收来自所述半导体的一组预测的性能特性；

通过所述控制器模块从所述一组预测的性能特性生成半导体性能概况；

通过所述控制器模块将所述半导体性能概况与疲劳模型进行比较；

基于所述半导体概况与所述疲劳模型的所述比较，通过所述控制器模块估计所述半导体的使用寿命的终点；和

基于所估计的所述半导体的使用寿命的终点来安排与所述半导体相关的维护。