[发明专利]多层结构的制备方法

说明书

本公开提供一种多层结构的制备方法。该制备方法包括下列操作：在一反应物中配置一基底；将一含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该基底上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将一含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应，以在该基底上形成一含铝层。

技术领域

本公开主张2018/12/24申请的美国临时申请案第62/784,612号及2019/03/28申请的美国正式申请案第16/368,200号的优先权及益处，该美国临时申请案及美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

电子电路，例如集成电路、显示电路、存储器电路，以及电力电路，制作得更小以增加轻便性及计算能力。二氧化硅层在制造电子电路的主动特征与被动特征中，已被使用在不同应用中。在一应用中，二氧化硅层被使用在多层抗蚀层叠(multilayer etch-resistant stacks)的制造中。

在半导体与光伏产业中，二氧化硅为已知用来当作钝化材料(passivationmaterial)，而钝化材料导致在表面重组中的明显减少。可在温度900℃中以湿式热氧化法(wet thermal oxidation)或者在氧气环境下温度850℃到1000℃之间以干式氧化法显影一高品质的二氧化硅层。然而，如此高温通常不适合光伏装置的制造。因此，发展出其他方法，例如以化学气相沉积法(CVD)从TEOS结合氧所显影出二氧化硅。而化学气相沉积法的一些缺点在控制层厚度是困难的，且其结果缺乏膜的高均匀性(film homogeneity)。而其他的缺点则是化学气相沉积法的二氧化硅的相对缺乏的钝化。针对这些理由，对于二氧化硅沉积而言，原子层沉积法(ALD)为一优选方法，其允许高均匀性层的沉积，且同时显现良好的钝化特性(good passivation properties)。

虽然二氧化硅具有钝化能力，但现在正在考虑氧化铝的钝化(Al₂O₃passivation)。类似于二氧化硅层，氧化铝的最新研究证明在沉积期间，自然地以氢(hygrogen)充实氧化铝层。氧化铝包含氢的一合理的层，也因此不需完全地将氢(H₂)加到氮(N₂)中。

上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种多层结构的制备方法。该制备方法包括在一反应器中配置一基底；将一含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该图案层上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将一含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应，以在该基底上形成一含铝层。

依据本公开的一些实施例，其中该基底具有一图案层，且该含铝化合物吸附在该图案层上。

依据本公开的一些实施例，该含铝化合物选自下列群组，包含三甲基铝(Al(Me)₃)、三乙基铝(Al(Et)₃)、异丙醇铝(Al(Me)₂(OiPr))、二甲基胺基铝(Al(Me)₂(NMe)₂)、以及二乙基胺基铝(Al(Me)₂(NEt)₂)。

依据本公开的一些实施例，该含氧化合物为蒸气、氧(O₂)或臭氧(O₃)。

依据本公开的一些实施例，该制备方法还包括以一预定数量的循环周期重复下列步骤：将该含铝化合物引入该反应器中，其中该含铝化合物吸附在该基底上；进行一抽气程序以从该反应器清除一过量含铝化合物；以及将该含氧化合物引入该反应器中，其中该含氧化合物与该含铝化合物相互反应。