[发明专利]升降装置、半导体制造装置的组装装置及其组装方法在审
申请号: | 201910773338.3 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110858560A | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 井上久司;小林正寿 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升降 装置 半导体 制造 组装 及其 方法 | ||
1.一种升降装置,其特征在于,包括:
在上下方向延伸的轴部;
能够沿所述轴部升降的第一升降部;
使所述第一升降部升降的第一驱动部;
能够在比所述第一升降部靠下方的位置沿所述轴部升降的第二升降部;和
使所述第二升降部升降的第二驱动部。
2.如权利要求1所述的升降装置,其特征在于:
所述轴部是丝杆轴,
所述第一升降部包括与所述丝杆轴螺合的第一螺母,
所述第二升降部包括与所述丝杆轴螺合的第二螺母。
3.如权利要求2所述的升降装置,其特征在于:
所述第一驱动部通过使所述第一螺母旋转来使所述第一升降部升降,
所述第二驱动部通过使所述第二螺母旋转来使所述第二升降部升降。
4.如权利要求1至3中任一项所述的升降装置,其特征在于:
所述第一驱动部和所述第二驱动部分别与所述第一升降部和所述第二升降部一起升降。
5.如权利要求1至4中任一项所述的升降装置,其特征在于:
具有引导所述第一升降部和所述第二升降部相对于所述轴部移动的直线引导件。
6.如权利要求1至5中任一项所述的升降装置,其特征在于:
所述第一驱动部和所述第二驱动部是各自的旋转轴与所述轴部垂直地配置的电机,
具有将所述电机的旋转力传递至所述第一驱动部和所述第二驱动部的传动机构。
7.如权利要求6中所述的升降装置,其特征在于:
所述传动机构包括带轮和传动带。
8.如权利要求7中所述的升降装置,其特征在于:
具有检测所述传动带的破损的传感器,
具有锁定机构,其在所述传感器检测到所述传动带的破损时,锁定所述第一升降部和所述第二升降部相对于所述轴部的动作。
9.如权利要求8中所述的升降装置,其特征在于:
所述锁定机构是气动夹具。
10.如权利要求6至8中任一项所述的升降装置,其特征在于:
所述电机是绝对式的。
11.如权利要求1至10中任一项所述的升降装置,其特征在于:
具有防止所述第一升降部与所述第二升降部接触的防碰撞机构。
12.一种半导体制造装置的组装装置,其特征在于:
所述半导体制造装置具有反应管,所述反应管在下部具有开口且具有包括内管和外管的双重管结构,
所述半导体制造装置的组装装置包括:
主体;
安装于所述主体的升降装置;
将气体供给到所述反应管的内部的气体供给装置;和
对所述反应管的内部进行排气的排气装置,
所述升降装置包括:
在上下方向延伸的轴部;
第一升降部,其可升降地安装于所述轴部,能够保持所述外管;
使所述第一升降部升降的第一驱动部;
第二升降部,其在比所述第一升降部靠下方的位置可升降地安装于所述轴部升降,能够保持所述内管;和
使所述第二升降部升降的第二驱动部。
13.一种半导体制造装置的组装方法,其特征在于:
所述半导体制造装置具有反应管,所述反应管在下部具有开口且具有包括内管和外管的双重管结构,
所述半导体制造装置的组装方法包括:
利用第一升降部来保持所述外管并使其上升的工序,其中所述第一升降部可升降地安装于上下方向延伸的轴部;和
利用第二升降部保持所述内管并使其上升,从而将所述内管设置在所述外管的内部的工序,其中所述第二升降部在比所述第一升降部靠下方的位置可升降地安装于所述轴部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造