[发明专利]一种悬浮石墨烯转移方法有效
申请号: | 201910773373.5 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110330013B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 李雪松;牛宇婷;青芳竹;刘春林 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C01B32/194 | 分类号: | C01B32/194;C01B32/186 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李亚男 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 悬浮 石墨 转移 方法 | ||
1.一种悬浮石墨烯转移方法,其特征在于,其包括以下步骤:
(1)将掩模材料固定在通过化学气相沉积法生长有石墨烯的金属基底上,在石墨烯上方蒸镀金属;
(2)蒸镀金属完成后取下掩模材料,将具有金属/石墨烯/金属基底的结构层置于刻蚀液中将金属基底刻蚀后,形成具有金属/石墨烯的结构层;
(3)对具有金属/石墨烯的结构层进行漂洗,然后采用中空基底将其捞出,并进行干燥。
2.根据权利要求1所述的悬浮石墨烯转移方法,其特征在于,步骤(1)中掩模材料包括:微米粉末、微米细丝或金属掩模板。
3.根据权利要求1所述的悬浮石墨烯转移方法,其特征在于,步骤(1)蒸镀金属方式包括:电阻蒸发、电子束蒸发、磁控溅射镀膜或原子层沉积。
4.根据权利要求3所述的悬浮石墨烯转移方法,其特征在于,步骤(1)中蒸镀金属得到金属层的厚度为50nm-1μm。
5.根据权利要求1所述的悬浮石墨烯转移方法,其特征在于,步骤(2)采用的刻蚀液为0.1mol/L-1mol/L的过硫酸铵或氯化铁。
6.根据权利要求1所述的悬浮石墨烯转移方法,其特征在于,步骤(3)干燥过程包括:自然晾干后,在50℃-70℃温度下干燥10min-20min。
7.根据权利要求1所述的悬浮石墨烯转移方法,其特征在于,步骤(3)漂洗采用的漂洗液为体积比为6:4或者7:3的去离子水和异丙醇的混合液。
8.根据权利要求1-7任一项所述的悬浮石墨烯转移方法,其特征在于,步骤(3)其特征在于,步骤(3)中的中空基底包括:铜网、铜滤网或中空PET。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910773373.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。