[发明专利]显示基板及制造方法、显示装置有效
申请号: | 201910773484.6 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110491884B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 王海涛;李广耀;王庆贺;汪军;王东方 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制造 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及制造方法、显示装置,属于显示技术领域,其可至少部分解决现有的显示基板中数据线与驱动电容之间短路风险较高的问题。本发明的显示基板中,显示功能层包括至少一个加强导体结构,每个加强导体结构对应一条数据线,加强导体结构与驱动晶体管的栅极同层设置,加强导体结构的沿第二方向的两端通过第一过孔与对应的数据线电连接,每个加强导体结构至少与一个驱动电容的第一极相对,数据线划分有第一子段和第二子段,第一子段的数据线宽度小于第二子段的数据线宽度,第一子段与加强导体结构所对应的驱动电容的第一极具有相对区域。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板、一种显示基板的制造方法、一种显示装置。
背景技术
图1是现有的一种经典的发光二极管型显示基板中的像素电路。像素电路通常呈行列式分布,相邻列像素电路之间通常还会设置沿列方向延伸的数据线以及沿行方向延伸的栅线。该像素电路包括驱动晶体管T0、第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、驱动电容Cst、发光二极管D,外接信号端依次为第一电源端Vdd、第二电源端Vss、数据输入端Data(连接数据线)、第一栅控制信号端G1(连接一条栅线)、第二栅控制信号端G2(连接另一条栅线)。
通常驱动电容Cst的其中一个电极会和数据线同层设置,即数据线的侧方会设置驱动电容Cst的电极。在刻蚀工艺中微小的工艺偏差即可能造成驱动电容Cst的一个电极与数据线之间发生短路不良。
发明内容
本发明至少部分解决现有的显示基板中数据线与驱动电容之间短路风险较高的问题,提供一种显示基板、一种显示基板的制造方法、一种显示装置。
根据本发明第一方面,提供一种显示基板,包括基底和设置在所述基底上的显示功能层,所述显示功能层包括沿相交的第一方向和第二方向排布的多个像素电路、沿所述第二方向延伸的多条数据线,所述像素电路包括驱动电容和驱动晶体管,所述驱动电容的第一极和所述数据线同层设置;所述显示功能层还包括至少一个加强导体结构,每个所述加强导体结构对应一条所述数据线,所述加强导体结构与所述驱动晶体管的栅极同层设置,所述加强导体结构的沿所述第二方向的两端通过第一过孔与对应的数据线电连接,每个所述加强导体结构至少与一个所述驱动电容的第一极相对,所述数据线划分有第一子段和第二子段,所述第一子段的数据线宽度小于所述第二子段的数据线宽度,所述第一子段与所述加强导体结构所对应的所述驱动电容的第一极具有相对区域。
可选地,所述第一过孔连通至所述第二子段。
可选地,所述第一子段沿所述第二方向的两个端点分别超出其所对应的所述驱动电容的第一极的朝向所述第一子段的边界的沿所述第二方向的端点。
可选地,所述第二子段与所述加强导体结构通过层间绝缘层隔开,所述第一子段与所述加强导体结构的背向所述基底的表面直接接触。
可选地,所述加强导体结构中部空缺设置,所述第一子段仅在其沿所述第二方向的两端部分与对应的加强导体结构的背向所述基底的表面接触。
可选地,所述像素电路还包括遮光层、设置在所述遮光层背向所述基底一侧的缓冲层,所述驱动晶体管设置在所述缓冲层背向所述基底一侧,所述驱动晶体管的第一极通过第二过孔与所述遮光层相连,所述遮光层作为所述驱动电容的第二极。
可选地,所述第一子段所对应的驱动电容的第二极包括第一子遮光层和第二子遮光层,所述第一子遮光层与所述第二子遮光层沿所述第一方向排列且二者之间具有空隙,所述第二子遮光层比所述第一子遮光层更靠近其所对的第一子段,所述第一子遮光层与所述第二子遮光层仅在与其对应的驱动电容的第一极交叠区域以外的区域连通。
可选地,所述第二子遮光层的沿所述第一方向的宽度比所述第一子遮光层沿所述第一方向的宽度窄。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的