[发明专利]一种基于光热电效应的光探测器在审
| 申请号： | 201910773645.1 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110473956A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/18;H01L35/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热电材料层 相变材料层 微结构层 吸收光 基底 两端连接电极 热传导性能 电极设置 光探测器 灵敏度 电极 电势差 光热电 光探测 探测器 级联 传导 放大 吸收 转化 | ||
1.一种基于光热电效应的光探测器，包括基底、热电材料层、电极，热电材料层和电极设置在基底上，热电材料层的两端连接电极，其特征在于：在热电材料层的任一端的上面设置有相变材料层，相变材料层上还设置微结构层。
2.如权利要求1所述的基于光热电效应的光探测器，其特征在于：所述热电材料层的材料为Bi2Te3或SbTe3。
3.如权利要求2所述的基于光热电效应的光探测器，其特征在于：所述相变材料层的材料为温度变化导致热传导系数变化的材料。
4.如权利要求2所述的基于光热电效应的光探测器，其特征在于：所述相变材料层的材料为温度变化导致吸收光性能变化的材料。
5.如权利要求2所述的基于光热电效应的光探测器，其特征在于：所述相变材料层的材料为二氧化钒。
6.如权利要求3-5任一项所述的基于光热电效应的温度探测器，其特征在于：所述微结构层由贵金属纳米颗粒构成。
7.如权利要求3-5所述的基于光热电效应的光探测器，其特征在于：所述微结构层为带有孔洞的贵金属薄膜。
8.如权利要求6所述的基于光热电效应的光传感器，其特征在于：所述贵金属纳米颗粒为球形、方形或矩形。
9.如权利要求8所述的基于光热电效应的光传感器，其特征在于：所述贵金属纳米颗粒嵌入到相变材料层中。
10.如权利要求9所述的基于光热电效应的光传感器，其特征在于：在所述贵金属纳米颗粒上还覆盖石墨烯薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金华伏安光电科技有限公司，未经金华伏安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910773645.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
