[发明专利]一株美孢胶膜菌QS104及其应用和促进兜兰无菌苗生长的方法

权利要求书

1.一株美孢胶膜菌QS104(Tulasnella calospora)，其特征在于，所述美孢胶膜菌QS104保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心保藏编号为CGMCCNO.17777。

2.根据权利要求1所述的美孢胶膜菌QS104，其特征在于，所述美孢胶膜菌QS104的ITS-5.8S rDNA序列如SEQ ID NO.1所示。

3.权利要求1或2所述美孢胶膜菌QS104在促进兜兰无菌苗生长中的应用。

4.一种促进兜兰无菌苗生长的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将权利要求1或2所述的美孢胶膜菌QS104接种于PDA培养基上，培养至菌丝长满培养基表面；

(2)兜兰无菌苗移入无菌苗培养基中培养；

(3)截取一块直径0.3～0.8cm的步骤(1)得到的菌丝长满表面的培养基，接入步骤(2)所述培养有兜兰无菌苗的无菌苗培养基中共培养；

所述步骤(1)和步骤(2)无时间顺序的限制。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述兜兰无菌苗为6～10月龄的幼苗。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述无菌苗培养基包括：CaCl₂0.5～2.0mmol/L，MgSO₄ 0.2～1.0mmol/L，K₂SO₄ 0.5～2.0mmol/L，KH₂PO₄ 0.1～0.8mmol/L，FeSO₄ 60～150μmol/L，H₃BO₄ 15～40μmol/L，MnCl₂ 15～60μmol/L，ZnSO₄ 1～6μmol/L，NaMoO₄ 0.5～2.0μmol/L，Na₂EDTA 100～180μmol/L，酵母浸膏0.5～2.0g/L，琼脂6～10g/L，pH值5.8～6.2。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述无菌苗培养基包括：CaCl₂ 1.0mmol/L，MgSO₄ 0.5mmol/L，K₂SO₄ 1.0mmol/L，KH₂PO₄ 0.4mmol/L，FeSO₄ 100μmol/L，H₃BO₄ 25μmol/L，MnCl₂ 33μmol/L，ZnSO₄ 2.8μmol/L，NaMoO₄ 1.0μmol/L，Na₂EDTA 140μmol/L，酵母浸膏1.0g/L，琼脂8.5g/L，pH值6.0。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述共培养的温度为25～28℃。

9.根据权利要求4或8所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述共培养的光照强度为1200～1400Lux，所述共培养的光照时间为12h/d。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述兜兰包括杏黄兜兰。