[发明专利]半导体装置中布局的方法

说明书

一种半导体装置中布局的方法，其特征在于，包括：接收包括多个主动区域的初步装置布局；分析初步装置布局，以识别在多个主动区域之间的空区域；决定与空区域接界的主动区域的配置；从过渡单元库选择过渡单元，其中过渡单元具有用于降低相邻过渡单元的主动区域中的密度梯度效应的过渡配置；以及将过渡单元插入空区域中，以界定经修改的装置布局。

技术领域

本揭示是有关于一种半导体装置中布局的方法，特别是关于集成电路装置中的布局的方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；Ic)工业已持续经历快速地增长，集成电路材料及设计的技术进阶产生了连续世代的集成电路，每一世代比前一代都具有更小的几何形状与更复杂的电路。为了达成设计的功能密度，用于产生每一新世代集成电路的相关联布局、装置结构及制造制程的复杂性也相应地增加。

进阶的图案化及蚀刻制程的执行受到与正制造的特定集成电路元件布局配置相关联的密度梯度效应(density gradient effect；DGE)的影响。在集成电路装置布局期间的功能及非功能结构的相对置放、高度及密度的考虑及调整，减轻一些密度梯度效应，并且提高所得集成电路的均匀性及效能。

发明内容

本揭示案的实施例是关于一种半导体装置中布局的方法，其特征在于，该方法包括：接收包括多个主动区域的一初步装置布局；分析该初步装置布局，用以识别在一第一主动区域与一第二主动区域之间的一空区域；决定该第一主动区域的一第一配置；决定该第二主动区域的一第二配置；选择来自一过渡单元库的一过渡单元，其中该过渡单元具有与该第一配置及该第二配置相容的一过渡配置；以及将该过渡单元插入该空区域中，以界定一经修改的装置布局。

附图说明

本揭示案的实施例的各态样当与附图一起阅读时将从以下实施方式中最佳地理解。应注意，根据行业中的标准实践，各个特征并未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，各个特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1为包括通过空区域而分离的主动区域的初始集成电路布局的俯视图。

图2为包括其中空区域已由虚拟单元区域填充的主动区域的集成电路布局的俯视图。

图3为根据一些实施例的包括主动区域的集成电路布局的俯视图，其中主动区域之间的空区域已填充过渡单元。

图4为根据一些实施例的包括主动区域的集成电路布局的俯视图，其中主动区域是通过保护环(guard ring；GR)与至少一个过渡单元(transition cell；T CELL)的组合而分离。

图5为根据一些实施例的包括主动区域的集成电路布局的俯视图，其中主动区域是通过保护环(guard ring；GR)与多个过渡单元(transition cell；T CELL)的组合而分离。

图6A至图6F为根据一些实施例的包括主动区域的集成电路布局的俯视图，其中主动区域是通过混合过渡单元而分离。

图7A至图7C为根据一些实施例的包括主动区域的集成电路布局的俯视图，其中主动区域是通过保护环(guard ring；GR)、其他结构(IR)与至少一个过渡单元(transitioncell；T CELL)的组合而分离。

图8为根据一些实施例的用于修改集成电路设计布局以包括过渡单元的方法的流程图。

图9为根据一些实施例的用于操作集成电路设计布局修改的电子制程控制(EPC)的示意图。

图10为根据一些实施例的集成电路的制造制程的流程图。

图11A至图11B为根据一些实施例的包括主动区域的集成电路布局的横截面图，其中主动区域是通过过渡单元(transition cell；T CELL)而分离。