[发明专利]一种IGBT组件及其版图

权利要求书

1.一种IGBT组件，包括IGBT器件IGBT1以及IGBT器件IGBT2，其特征是：还包括MOS管LM，所述MOS管LM为LDMOS器件，MOS管LM的漏极与IGBT器件的栅极G1相互连接后形成IGBT组件的栅电极端Gate；

MOS管LM的源极与IGBT器件IGBT2的栅极G2连接，MOS管LM的栅极与电阻R的一端连接，电阻R的另一端与IGBT器件IGBT1的电流传感器输出端、IGBT器件IGBT2的电流传感器输出端连接，且MOS管LM的栅极与电阻R的一端连接后形成IGBT组件的电流测量端I_SENSE；

IGBT器件IGBT1的集电极C1与IGBT器件IGBT2的集电极C2相互连接后形成IGBT组件的集电极端Collector；IGBT器件IGBT1的发射极E1与IGBT器件IGBT2的发射极E2相互连接后形成IGBT组件的发射极端Emitter。

2.根据权利要求1所述的IGBT组件，其特征是：所述IGBT器件IGBT1、IGBT器件IGBT2具有相同的元胞结构以及特性参数。

3.一种IGBT组件的版图，包括半导体基板，在所述半导体基板的中心区设置元胞区，在元胞区的外圈设置终端区(1)，在终端区(1)与元胞区之间设置元胞终端过渡区(2)；其特征是：在元胞区内包括形成IGBT器件IGBT1的IGBT1区域(3)以及形成IGBT器件IGBT2的IGBT2区域(4)，所述IGBT1区域(3)与IGBT2区域(4)相互独立；

在元胞终端过渡区(2)内设置栅极焊盘(12)，IGBT器件IGBT1的栅极跑道直接与栅极焊盘(12)连接，IGBT器件IGBT2的栅极跑道通过MOS管LM与栅极焊盘(12)连接，其中，MOS管LM为LDMOS器件，MOS管LM的源极端与IGBT器件IGBT2的栅极跑道连接，MOS管LM的漏极与栅极焊盘(12)连接，MOS管LM位于元胞终端过渡区(2)内，且MOS管LM与栅极焊盘(12)位于IGBT1区域(3)、IGBT2区域(4)的同一端；

MOS管LM的栅极通过多晶硅电阻(9)与IGBT器件IGBT1的IGBT1电流传感器(7)、IGBT器件IGBT2的IGBT2电流传感器(8)连接，且MOS管LM的栅极与电流传感器焊盘(10)电连接，所述电流传感器焊盘(10)位于元胞终端过渡区(2)，且电流传感器焊盘(10)与栅极焊盘(12)位于IGBT1区域(3)、IGBT2区域(4)的同一端。

4.根据权利要求3所述IGBT组件的版图，其特征是：在IGBT1区域(3)上设置IGBT器件IGBT1发射极焊盘(5)，在IGBT2区域(4)上设置IGBT器件IGBT2发射极焊盘(6)，所述IGBT器件IGBT1发射极焊盘(5)与IGBT器件IGBT2发射极焊盘(6)电连接。

5.根据权利要求3所述IGBT组件的版图，其特征是：所述半导体基板的材料包括硅。

6.根据权利要求3所述IGBT组件的版图，其特征是：所述IGBT1区域(3)与IGBT2区域(4)具有相同的元胞结构以及元胞尺寸，IGBT1区域(3)与IGBT区域(2)在元胞区内呈对称分布；IGBT1电流传感器(7)与IGBT2电流传感器(8)具有相同的面积。